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產創條例修正祭護國神山群條款 拚台半導體技術領先

本文共647字

中央社 記者曾智怡台北8日電

美日韓等國競相砸重金發展半導體,為確保台灣前瞻技術領先地位,經濟部擬提出的產業創新條例修正案,加碼租稅優惠,企業研發投抵率有望比現行15%更高,先進製程設備抵減將不設金額上限。

經濟部強調,租稅優惠適用將不限半導體產業。不過,在三星、英特爾等國際大廠競相投注資源提升半導體製程先進技術之際,這項修法內容,被外界視為為穩固台積電及其相關供應鏈全球技術領先地位的「護國神山群條款」。

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關於本次產業創新條例修正案修法重點,工業局官員表示,首先,企業研發投資抵減率,希望能優於現行產創條例第10條規定的支出金額15%;其次,購置先進製程設備投資抵減率,希望優於現行產創條例當年度5%或3年內3%的投抵率,且原先最高抵減金額為新台幣10億元,將放寬至沒有上限。

官員指出,因應國際情勢,日、韓、美、歐盟都砸「天價」資助國內半導體發展,以美國為例,相關預算一通過便是數百億美元,藉此拉攏前瞻技術在美國設廠;面對國際競爭世界,台灣應要在此關鍵時刻提出具體措施,維持現在競爭力。

官員表示,值得注意的是,2023年全球企業須滿足經濟合作暨發展組織(OECD)最低稅負15%,台灣也不例外,為避免過度租稅優惠,企業有效稅率要達到15%才可適用修法內容,因此預期稅收不會太低,每年固定稅收可能滾動成長。

官員強調,目前整體國際情勢對台灣並沒有很友善,台灣半導體多年經營成果,要維持前瞻技術領先地位,就要祭出更多措施,同時呼應國際精神。台灣租稅優惠也「沒有挑產業」,除半導體產業有機會申請,其他產業符合標準也可適用。

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