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三星啟動大投資 追趕台積電

提要

五年要砸逾千億美元,力拚全球半導體三個第一。

三星集團昨(24)日宣布,加碼未來五年資本支出至450兆韓元(約3,600億美元,逾新台幣10兆元),鎖定半導體、生醫與通訊等領域。(路透)
三星集團昨(24)日宣布,加碼未來五年資本支出至450兆韓元(約3,600億美元,逾新台幣10兆元),鎖定半導體、生醫與通訊等領域。(路透)

本文共786字

經濟日報 記者尹慧中、編譯葉亭均、林奕榮/綜合報導

三星集團昨(24)日宣布,加碼未來五年資本支出至450兆韓元(約3,600億美元,逾新台幣10兆元),鎖定 半導體 小詞典 半導體 半導體(英語:Semiconductor)是一種導電率在絕緣體至導體之間的物質。 導電率容易受控制的半導體,可作為資訊處理的元件材料。 從科技或是經濟發展的角度來看,半導體非常重要。很多電子產品,如電腦、行動電話、數位錄音機的核心單元都是利用半導體的導電率變化來處理資訊。 常見的半導體材料有:第一代(另一種定義/說法:第一「類」。以下第二、三代,同)的矽、鍺, 第二代的砷化鎵、磷化銦,第三代的氮化鎵、碳化矽等; 而矽更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。 、生醫與通訊等領域,是集團來最大手筆,並較前五年投資額大增三成。

三星並未透露各事業資本支出投資比重等細節,但三星在南韓新任總統尹錫悅及美國總統拜登共同訪問旗下平澤廠後,宣布這項大投資,業界認為,這象徵三星會將投資集中在半導體領域,初估未來五年半導體投資規模將逾千億美元、晶圓代工占比約近四成,追趕台積電(2330)(2330)晶圓代工龍頭地位。

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對於相關競爭對手訊息,台積電昨日不評論。台積電先前已宣布,今年資本支出為400億美元至440億美元,為歷年最高。三星昨日則在新聞稿中提及,持續投資晶圓代工先進製程與開拓市場,看待3奈米將是可縮小與對手差距的節點,該製程已計畫今年上半年量產,並正開發第二代與下世代節點且搭配先進封裝。

三星集團內部已訂下, 2030年力拚全球半導體三個第一的計畫,鎖定NAND晶片、 DRAM 小詞典 DRAM 指動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM),是電子系統產品不可或缺的零組件,廣泛用於筆電、智慧手機、電視、印表機等3C終端產品,主要用來暫存終端裝置運作時需要的資料或檔案,使得整體裝置運作效能更快。DRAM屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)裝置,存在DRAM的資料會在電力切斷以後很快消失。 與晶圓代工領域發展,晶圓代工正衝刺南韓本地與美國德州同步擴產。

根據三星計畫,南韓平澤P3廠整合記憶體以及晶圓代工代工,設備5月陸續移入,計畫下半年投產,將先開出NAND晶片與DRAM產能,後續增開晶圓代工產線。由於三星晶圓代工產能規模不到台積四分之一,在德州與平澤新產能開出後,仍無法滿足自身與已接訂單需求。

三星集團在新聞稿中提到,將未來五年支出提高約3,600億美元,是史上規模最大的投資計畫,將強化半導體、生物製藥等事業和新通訊技術,看好IC設計、晶圓代工和生物製藥將成為集團未來成長支柱。

截至2021年止的五年,三星資本支出為330兆韓元,新的五年投資計畫規模則提高逾30%。三星表示,投資計畫將有助晶片事業等長期成長,也希望讓生物製藥事業的發展能與晶片事業看齊。外電報導,三星並未提供投資細節,僅透露其中360兆韓元、即80%的投資將在南韓境內進行。

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