• 會員中心
  • 訂閱管理
  • 常見問題
  • 登出

英特爾、ASML強化合作 驅動高數值孔徑EUV 2025年生產

本文共1002字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

英特爾今日宣布已向ASML購買首台TWINSCAN EXE:5200系統,於導入EUV 0.55 NA(High-NA、高數值孔徑)跨出重要的一步。

為推進尖端半導體微影技術發展,ASML和英特爾公司於今日宣布,其長遠合作的最新階段發展。作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的框架內容,英特爾已向ASML下訂業界首台TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單;這是款具備High-NA的極紫外光(EUV)大量生產系統,每小時具備200片以上晶圓產能。

推薦

ASML總裁暨技術長Martin van den Brink表示,英特爾的遠見和對ASML High-NA EUV的早期承諾,為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV系統,ASML持續創新拓展EUV路線圖,進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量,提供驅動晶片產業下個10年所需要的良好經濟規模延展性。-

英特爾於去年7月Accelarated活動中宣布,其部署首款High-NA技術的計畫,藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系統的首位買家,透過今日所宣布的新訂購案,其合作關係將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。

英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理Ann Kelleher表示,英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位,去年公司持續不斷地打造我們的EUV專業知識和能力。透過與ASML的密切合作,我們將汲取High-NA EUV的高階析度圖案化優勢,作為延續摩爾定律的其中一個方式,並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。

EXE平台為EUV技術的演化步驟,其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系統與之前EUV機器所具備的0.33數值孔徑鏡片相比,提供精確度提升的0.55數值孔徑,為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長,決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

英特爾表示,EUV 0.55 NA為2025年開始的多個未來節點所設計,同時也是業界首次部署該技術,隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在2021年的投資者關係日,ASML分享其EUV路線圖規劃,並表示High-NA技術有望自2025開始支援生產製造。今日聲明與此路線圖規劃一致。

※ 歡迎用「轉貼」或「分享」的方式轉傳文章連結;未經授權,請勿複製轉貼文章內容

延伸閱讀

上一篇
衝刺2050淨零排放 吳政忠:著力基礎科研落地
下一篇
地緣政治多變引客戶緊張 工業電腦兩大廠這樣因應

相關

熱門

看更多

看更多

留言

完成

成功收藏,前往會員中心查看!