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吳敏求:3D NAND Flash將取代DRAM成為主流

本文共436字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

記憶體廠旺宏 (2337) 董事長吳敏求今 (3) 日出席李國鼎紀念論壇,以以「快閃記憶體之現況及未來」為題進行專題演講時表示,人工智慧啟動下波工業革命,驅動半導體需求,並預期未來3D儲存快閃記憶體(NAND Flash) 可能取代 DRAM,成為市場主流。

吳敏求說,包括人工智慧、邊緣運算、5G 及汽車電子將帶動大數據對記憶體的需求。他強調,先進半導體製程技術使2D NAND與編碼型(NOR)快閃記憶體跨越無法微縮的障礙,邁向3D 結構,容量持續增加,並維持NAND與NOR的成長動能。

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吳敏求指出,目前記憶體市場仍以DRAM 為大宗,但 3D NAND Flash 擁有最高密度及最低製造成本,未來可能成為記憶體市場新主流。

他強調,3D NAND 及NOR,未來能獲得系統廠青睞願意合作,關鍵在於產品品質,他認為隨著巨量資訊對算力需求呈現爆發性成長,為進一步降低運算功耗,記憶體將由單純的幕後資料儲存角色,轉向具有運算功能 的幕前角色,最終實現「存運一體」的具體表現。

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