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工研院合作英商牛津儀器 搶攻全球化合物半導體市場

本文共635字

聯合報 記者巫鴻瑋/新竹即時報導

2021年全球半導體市場產值已超過13兆台幣,6G、綠能與電動車製造仍在驅動產業持續發展,化合物半導體氮化鎵(GaN)將成為未來半導體產業的關鍵技術,工研院已與英商牛津儀器簽署研究計畫,要建構台灣在化合物半導體產業鏈的關鍵位置,持續搶占下世代半導體產業全球市場。

擁有黑科技之稱的化合物半導體氮化鎵(GaN),因其擁有高功率、高密度,可大幅縮小產品體積,於高頻、高溫與高電壓的環境下仍有極佳效能,因此被視為半導體產業升級的新星,美、日、歐都已將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展的重要材料,並廣泛應用到高階通訊、功率元件、光電應用等。

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工研院電子與光電系統研究所長吳志毅表示,工研院已開發應用於高頻通訊的氮化鎵半導體技術,並與相關學術機構進行磊晶技術研究、開發操作頻率達320GHz高頻元件與100GHz功率放大器模組等前瞻技術,希望加速國內下世代超高頻通訊關鍵技術自主化。

工研院希望透過與牛津儀器合作開發化合物半導體的元件技術,有效提升氮化鎵的高電子遷移率電晶體(HEMT)元件製程良率,增加電源充電功率與電晶體性能。

英商牛津儀器首席執行長伊恩·巴克希爾說明,牛津儀器與工研院的陸續合作已超過15年,並進駐工研院成立研發中心,舉辦相關訓練課程,這次再度合作將提供先進的原子級沉積與蝕刻技術設備,配合工研院在超高頻半導體關鍵零組件技術解決方案及製程開發平台,搶占市場供應鏈關鍵地位。

工業技術研究院。圖/工研院提供
工業技術研究院。圖/工研院提供

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