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鴻海劍指第三代半導體 供應鏈卡位大戰開跑

提要

鴻海劍指第三代半導體 國內相關供應鏈卡位大戰開跑

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本文共1400字

非凡商業周刊 文/李冠嶔

半導體產業這次在鴻海大動作買下旺宏6吋廠,準備轉為生產第三代半導體材料SiC元件,引起市場一片譁然,研判之下,國內供應鏈早已先後耕耘,未來市場卡位大戰勢必就將開跑。

近日鴻海(2317)(2317)宣布買下旺宏(2337)(2337)6吋廠,預計將這座廠,從邏輯電路代工,轉為生產第三代半導體材料中的碳化矽(SiC)元件,這座基地將成為鴻海負責半導體業務的S事業群新竹總部。

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大廠共同創新技術

早在6月30日,鴻海昔日的死對頭比亞迪公告將分拆旗下比亞迪半導體,在深圳交易所創業板掛牌上市。將以現有6吋矽基晶圓製造經驗,在寧波進行SiC功率器件晶圓製造產線建設,預計花7.3億元人民幣興建碳化矽晶圓生產線,月產能2萬片,與旺宏6吋廠規模相近。

而同時,8月11日意法半導體(STMicroelectronics)宣布,瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋SiC晶圓,由6吋升級到8吋,代表意法半導體對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得階段性成功,且提升功率電子晶片輕量化和效能,並降低產品成本。相較於6吋晶圓,8吋晶圓更可以增加產能,將製造積體電路可用面積擴大近1倍,合格晶片產能則為6吋晶圓的1.8~1.9倍。

9月9日國際半導體產業協會(SEMI)與鴻海研究院共同舉辦「NExT Forum」活動,以「Compound Semiconductor in E-Vehicle」為題,同時邀請英飛凌、意法半導體、台積電(2330)(2330)、穩懋(3105)(3105)等大廠,共同剖析化合物、車用半導體的創新應用與技術發展。

中國將第三代半導體材料自主化,列為十四五規劃重大投資項目,氮化鎵(GaN)及SiC已成中國半導體新顯學。士蘭微電子、聚能晶源、聚能創芯、三安光電、海威華芯、華潤微電子等當地半導體業者,已全力展開GaN及SiC晶圓片或代工業務,下半年進入量產。

9月3日聯電(2303)(2303)與頎邦(6147)(6147)換股,由聯電子公司宏誠創投取得頎邦9.09%股權,躍居第1大股東。頎邦董事長吳非艱表示,與聯電換股合作鎖定AMOLED面板驅動IC和第三代半導體,頎邦已布局GaN和SiC等晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。聯電6吋晶圓廠布局第三代半導體,預期雙方合作效益會很快浮現。

里昂開啟研究之門

在2018年3月,里昂由侯明孝與日本分析師Claudio Aritomi,出了一本厚達128頁有關寬帶隙(Wide bandgap)報告,以「功率躍進」(POWER LEAP)為標題,預期此類產品未來將取代MOSFET、IGBT成為下一個10億美元產業,2025年可能占功率半導體市場2成以上,此報告認為台積電、世界(5347)(5347)與漢磊(3707)(3707)將成主要受益公司。

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