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台積唱旺第三代半導體 看好未來十年前景

提要

看好未來十年前景 搶進快充、資料中心、太陽能電力轉換器等應用領域

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台積電。報系資料照

本文共1006字

經濟日報 記者尹慧中╱台北報導

繼鴻海董事長劉揚偉高喊「打造第三代半導體成為台灣下一個護國神山」之後,台積電(2330)(2330)也對第三代半導體按讚。台積電資深處長段孝勤昨(7)日表示,看好第三代半導體未來十年商機大開,台積電鎖定快充、資料中心、太陽能電力轉換器、48V直流電源轉換器,以及電動車車載充電器與轉換器等五大應用領域,搶搭市場商機。

台積電強調,對第三代半導體相關應用都有對應製程設計藍圖與量產實績,將由成熟製程升級擴充並轉換特殊製程支援,目標全方位包辦支援客戶製造服務。

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段孝勤昨日參加SEMICON台灣國際半導體展的線上論壇時,提到台積電對第三代半導體布局藍圖,展現對此領域的重視。

段孝勤昨在論壇專題演講中表示,下世代半導體的競爭優勢在功率與射頻應用,台積電在此領域專注在氮化鎵(GaN)材料與技術相關開發,氮化鎵在長期發展後,逐漸開始被市場接受,預期未來十年將延展至更多應用。

段孝勤提到,台積電過去20年研發功率提升技術,人們希望裝置的耗能愈少愈好,台積電投入特殊製程電源管理技術,功率元件應用是重要關鍵。

段孝勤指出,台積電在第三代半導體布局有別碳化矽(SiC)應用材料特性,更關注在氮化鎵的商機,看好GaN充電更快、更輕薄以及更有效率,效率大於傳統材料的三倍,在資料中心應用需求上也是如此。

就新材料開發上,他提到,矽基氮化鎵(GaN on Si)的挑戰主要是表面的不平整程度。台積電開發對應的特殊製程技術,能應對功率與RF元件需求,目前磊晶代工廠已發展出6吋矽基氮化鎵生產技術。

他指出,台積電2014年在旗下6吋晶圓廠運用氮化鎵技術生產,2015年擴大到生產低壓與高壓氮化鎵元件。矽基氮化鎵製程在2017年投入量產,相關晶圓出貨近年都顯著成長,主要是配合整合的電力驅動器、車用製程以及射頻放大器製程,近年支援客戶系統晶片設計等。

台積電除了衝刺先進製程開發與量產,今年成長重點之一也是提高特殊製程在成熟製程的占比,將挑戰60%新高,是首度占比過半,有助獲利表現。特殊製程的成長動能之一就是來自氮化鎵相關特殊應用製造成長,部分客戶投片計畫陸續從6吋轉至8吋廠,提升產量。

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