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聯電將與頎邦換股 取得頎邦逾9%股權

本文共1345字

聯合報 記者簡永祥/即時報導

聯電、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦今日三方董事會都今日分別通過股份交換案,建立長期策略合作關,將以聯電1股換頎邦0.87股,由聯電與宏捷創投共同持有質頎邦9.09%股權,頎邦則持股聯電0.62%股權。

聯電總經理簡山傑表示,透過這次策略合作,將結合雙方技術優勢,整合上下游供應鏈資源,提供客戶先進的製程技術方案及更完整的全方位服務。

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法人則指出,由於聯電取得頎邦股權近一成,成為頎邦單一最大法人股東,而頎邦主要業為面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊製作,雙方這次結盟,也等於聯電幫客戶綁下游封裝產能,頎邦也藉由聯電入主,在防禦未來長華集團入主公司經營權,多了一層保障。

聯電表示,公司主要以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案,以符合客戶的晶片設計需求,所提供方案橫跨14奈米到0.6微米之製程技術。

頎邦的技術製程主要是聚焦於面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊製作及晶圓級晶片尺寸封測(WLCSP),並持續投入扇出型系統級封裝(FOSiP)及覆晶系統型封裝(FCSiP)等相關高階先進封裝技術製程開發。

聯電為台灣最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商。聯電亦為成功使用28奈米高壓製程於AMOLED面板驅動IC之先行者,並已進階至22奈米。頎邦則是全球驅動IC封測代工領導者,產能、技術獨步全球。兩家公司將在驅動IC領域密切合作,整合前、後段製程技術,往更高頻、更低功耗等方向邁進,共同提供面板業界一元化的解決方案。

聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵(GaN)功率元件與射頻元件製程開發,鎖定市場商機為高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年,並已在此行業佔有舉足輕重之地位,服務項目包括覆晶凸塊(Bumping)、厚銅重佈線(RDL)及晶圓級晶片尺寸(WLCSP)封測,適用晶圓材質除了矽(Si)外,也已經開始量產於砷化鉀(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物晶圓上。

頎邦也正在致力開發覆晶系統級(FCSiP)、扇出型系統級(FOSiP)等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游,兩家公司將在這些市場區塊通力合作。

基於雙方多年來已在驅動IC的領域密切聯繫合作,雙方董事會決議以換股方式,相互取得對方股權,更進一步強化雙方長期策略合作關係。

三方同意依公司法第156條之3之規定進行股份交換,由頎邦增資發行普通股新股67,152,322股作為對價,以受讓聯電增資發行之普通股新股61,107,841股及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股16,078,737股。換股比例為聯電每1股換發頎邦0.87股。

預計換股交易完成後,聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權,頎邦則將持有聯電約0.62%股權。

簡山傑表示,聯電一向致力於以全球化佈局擴展營運規模、強化客戶競爭力及提升股東價值。面對半導體技術日趨精進,基於產業趨勢及市場共同性,聯電除了研發自有晶圓代工技術,也與策略夥伴攜手合作,結合雙方技術優勢,整合上下游供應鏈資源,提供客戶先進的製程技術方案及更完整的全方位服務。

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