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三星聲稱 3奈米技術領先台積

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南韓三星電子宣稱3奈米採用環繞閘極(GAA)架構的研發進度將可領先台積電。路透

本文共1033字

經濟日報 編譯黃淑玲、記者尹慧中╱綜合報導

台積電(2330)(2330)近期搶盡全球媒體與投資人目光之際,南韓三星電子出面喊話,強調該公司在3奈米採用環繞閘極(GAA)架構的研發進度將可領先台積電,不讓台積電專美於前。

南韓媒體Business Korea報導,三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung周三(25日)在一場網路技術論壇中,釋出上述訊息。對於相關報導,台積電不回應競爭對手相關動態消息。

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Jeong Eun-seung在該廠技術論壇中發表專題演講時指出:「三星開發中的GAA技術,領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術,我們的晶圓代工事業將可更加成長。」

三星表示,與台積電在技術方面的競爭近身肉搏,Jeong說:「三星的晶圓代工事業2017年才開始,不過我們將以在記憶晶片領域的技術根基,超車台積電。」他舉例,三星曾在台積電之前,就將鰭式場效電晶體(FinFET)技術應用在一項14MHz產品。

Business Korea指出,GAA是3奈米製程的關鍵,全球大型晶圓廠不久的將來將會採用這項技術。GAA技術的優點在於改變電晶體架構,將其由鰭式場效電晶體(FinFET)的3D轉為GAA的4D。三星2019年與客戶測試其所設計的3奈米製程,結果顯示,GAA技術縮減晶片面積程度達到45%,功率效率增加50%。

不過,半導體業分析師強調,誰可以率先將GAA技術商業化,還需要再觀察,主因以2011年到2020年全球申請GAA相關專利的案件數來看,台積電占比為31.4%,比三星的20.6%還要多。台積電也非常活躍,想搶先將GAA商業化。

據了解,台積電明年3奈米量產計畫仍順利進行中,並且有信心鰭式場效電晶體(FinFET)架構更獲得客戶支持,因此將研發技術實際運用於明年量產上有客戶群廣泛優勢。

台積電業務開發副總張曉強日前在技術論壇上透露,台積電認為繼續採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構開發3奈米製程,是能幫助客戶取得成功的最佳方案。

台積電先前已預期,3奈米效能可較5奈米提升10%至15%,功耗減少25%至30%,邏輯密度增加1.7倍,SRAM密度提升1.2倍、類比密度則提升1.1倍等。目標3奈米量產第一年,客戶產品量能達到5奈米兩倍以上,廣泛應用於智慧機與高速運算(HPC)平台。



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