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晶圓代工廠聯電（2303）（2303）與矽智財（IP）廠商力旺昨（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，可為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元嵌入式記憶體解決方案，未來雙方將持續合作開發車用規格的RRAM產品。
力旺指出，提供的8Mb RRAM IP具有多項關鍵功能，可用於物聯網設備中的微控制器（MCU）與智慧電源管理IC的編碼儲存，還可支援人工智慧的記憶體內運算架構。且聯電提供22奈米的0.8V／2.5V RRAM平台，具備使用較少的光罩層數、較短的生產周期，且更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。
力旺表示，對40奈米、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米0.8V／2.5V平台實現更高的儲存密度、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度，以及持續提升的覆寫能力。
預期力旺的RRAM將成為主流技術平台上最具成本效益的eFlash解決方案，並可擴展至更多製程節點。
聯電提到，AIoT應用不斷拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求逐漸增加。力旺的IP在聯電22奈米RRAM平台完成驗證，可為客戶開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。
力旺去年營收與獲利都創新高，每股純益21.61元，首次賺逾二個股本，今年前二月合併營收6.07億元，年減9.2％。受到晶圓代工客戶影響，預期首季業績將衰退，但對今年營收仍持成長看法。
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