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三大利空 大摩看壞記憶體

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PC前景轉差、南韓搶市、紅鏈良率提升效應 給予南亞科、華邦、旺宏、力積電劣於大盤評級

大摩最新報告指出,受看壞DRAM、儲存型快閃記憶體(NAND Flash)、編碼型快閃記憶體(NOR Flash)等三大記憶體後市。圖為DRAM模組。(路透)
大摩最新報告指出,受看壞DRAM、儲存型快閃記憶體(NAND Flash)、編碼型快閃記憶體(NOR Flash)等三大記憶體後市。圖為DRAM模組。(路透)

本文共1101字

經濟日報 記者黃力、李孟珊/台北報導

外資摩根士丹利(大摩)最新報告指出,受PC出貨前景轉差、南韓兩大指標廠持續搶食市場,及紅色供應鏈製程與良率提升等三大因素影響,看壞DRAM、儲存型快閃記憶體(NAND Flash)、編碼型快閃記憶體(NOR Flash)等三大記憶體後市,給予南亞科、華邦、旺宏、力積電「劣於大盤」評級。(延伸閱讀:記憶體市況詭譎多變 大摩發報告看空竟「網內互打」?)

大摩去年8月中旬曾以「記憶體寒冬來臨」為題,發布看空記憶體市況報告,罕見引發國內記憶體三巨頭旺宏董事長吳敏求、華邦董事長焦佑鈞、群聯時任董座潘健成同聲高喊「不認同」,也因三巨頭信心喊話,當時遭看空的個股在報告出爐後,短線股價並未劇烈波動,直到當年10月大盤大幅回檔下探波段低點16,162點時,才顯著修正。

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不過,近期俄烏戰事延燒,加上全球通膨氣焰高張,科技股成為市場資金撤出標的之際,大摩昨(24)日最新報告流出之後,加深市場對記憶體後市疑慮,引起震撼。華邦首當其衝,遭外資大賣逾6萬張,終場重挫逾7.7%,收32.2元。南亞科也造外資賣超7,170張,終止連五買,終場跌逾3%,收71.3元。

旺宏則跌約1%,收41.85元,但外資仍買超2,377張,連三買。力積電股價開低走高,終場收平盤54.2元,外資買超2,718張。

大摩在長達15頁的報告中指出,一個月前NAND晶片市況緊俏,有效支撐報價走勢,使得市場預期NAND第2季價格有望季增5%至10%,然而在近日訪查後發現,隨著PC需求前景持續轉差,第2季NAND價格恐僅季增5%。

DRAM方面,雖然三星、SK海力士停止生產1Gb/2Gb容量產品,並減少生產DDR3記憶體,但這兩大南韓業者並未放棄DRAM市場,反而正在為4Gb產品遷移到DDR4做準備,此舉恐衝擊南亞科在電視/機上盒的市場,並使得利基型DRAM價格承壓,預估第2季報價將季減5%以內,未達業界普遍看好價格走揚的趨勢。

另外,大陸記憶體廠長鑫存儲17奈米良率已達40%,規劃今年第2季提供客戶DDR4樣品,大摩認為長鑫存儲的產品成本結構優於南亞科、力積電、華邦等台廠;加上另一大陸記憶體指標廠兆易創新也開始銷售19奈米1Gb/2Gb DRAM晶片,並由長鑫存儲代工,相關因素都不利台灣記憶體廠。

陸媒先前報導,長鑫存儲在2021年已實現每月6萬片晶圓的DRAM產能基礎,今年月產能有望再翻一倍、達12萬片,並朝30萬片邁進,成為台廠勁敵。

NOR晶片方面,大摩預期第2季價格與首季大致持平,然而,近期PC等終端需求疲軟,加上疫情等不確定性因素,使得下半年價格市況有更多變化,預估相關業者今年上半年獲利可望持穩,下半年開始將面臨庫存增加壓力。

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