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DRAM合約價下跌壓力未除 記憶體開高走低

2019-07-18 13:21中央社 記者張建中新竹18日電

動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價近日因日韓貿易戰疑慮展開反彈走勢,但因合約價下跌壓力未除,南亞科等記憶體族群今天股價紛紛開高走低。

日本4日起加強管制光阻劑等3項關鍵電子材料出口南韓,市場高度關注三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)兩大記憶體廠營運是否受到影響。

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繼儲存型快閃記憶體(NAND Flash)報價傳出上漲1成後,DRAM現貨價也出現強勁反彈走勢,漲幅也達1成水準。

南亞科總經理李培瑛先前認為,隨著旺季需求升溫,DRAM現貨價可望搶先反彈,只是合約價恐持續走跌。

市調機構集邦科技預期,DRAM供應商庫存水位高於3個月,合約價持續走跌,未見反轉向上跡象,日本管制材料出口南韓事件造成DRAM供需出現結構性反轉可能性低。

南亞科等記憶體族群今天在DRAM現貨價反彈消息激勵下,股價跳空開高,只是隨後賣壓出籠,股價紛紛震盪走低;其中,南亞科股價一度達新台幣66.7元,跌1元,跌幅1.47%。

快閃記憶體 DRAM 南亞科
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