DRAM 業洗牌 長鑫拚追上美光 通用產品領域進入第一梯隊

大陸DRAM一哥長鑫科技已完成上交所科創板上市，在三星、SK海力士和美光這三大巨頭激烈廝殺的同時，長鑫科技透過政策補貼與內需市場迎來爆發期，能否一舉超越美光，擠進全球前三大記憶體廠商之列，成為外界關注焦點。

研調機構Counterpoint Research報告顯示，全球DRAM市場格局正加速洗牌。今年第2季，三星電子市占攀升至39%，重回2024年以來高點；SK海力士市占下滑至26%，美光市占22%，長鑫科技市占則快速成長至近8%，為全球記憶體產業帶來新變數。

Counterpoint Research指出，如果長鑫存儲（長鑫科技全資子公司）能進一步提升產能與技術能力，除滿足中國大陸市場需求，也逐步打入個人電腦及國際一線客戶供應鏈，其全球市占率一年後可能呈現截然不同樣貌。

實際上，長鑫科技已制定中長期產能躍升完整規劃，透過合肥、北京、上海三大生產基地同時擴產，目標在2028年實現月產能50萬片（2026年總產能約35萬片12吋晶圓），全球DRAM市占有望提升至17%，實現翻倍以上增長。

分析師認為，長鑫存儲目前產品仍以消費性及標準型DRAM為主，與美光主攻的HBM3E及HBM4等高階AI記憶體並不完全重疊。長鑫與美光在DRAM領域的差距，呈現「產能與毛利快速逼近，但高階技術與HBM仍落後約三年（兩個世代）」的兩極化局面，長鑫在AI記憶體戰場上目前毫無威脅美光的能力。

然而，長鑫也開始將目標轉向人工智慧伺服器不可或缺的HBM。研究機構SemiAnalysis預估，長鑫存儲占全球HBM晶圓供應的比重，可能由2025年的1%升至2028年的12%。

美光也正在進行創紀錄的全球擴產計畫，不僅將2026全年資本支出提高至約270億美元，並預計在2027年進一步拉高至400億美元，建廠與擴產版圖一路排到2030年以後。

三星、SK海力士、美光將大量產能轉向HBM，通用DRAM市場出現供給缺口，長鑫可依託大陸國產替代的供應鏈優勢，快速搶占這部分市場，持續提升市占率和技術積累速度。整體而言，長鑫在通用DRAM領域已進入第一梯隊，但若要在綜合營收、高端技術實力上全面追上美光，仍需完成HBM等高端產品技術突破和全球高端市場長期布局。

不過，TrendForece此前表示，美國「實體清單」的相關限制，仍持續阻礙長鑫先進製程發展。長鑫正擴大面向中國本土客戶的伺服器DRAM供應，並興建新的晶圓廠，但外國設備取得限制，仍為其高階產品發展蒙上陰影。