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華為突圍 秀EUV光刻技術

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投入半導體關鍵設備研發 公開新極紫外光相關專利 拚突破晶片卡脖子困境

突破晶片卡脖子問題,華為近期公開新極紫外光(EUV)光刻新技術專利。 新華社
突破晶片卡脖子問題,華為近期公開新極紫外光(EUV)光刻新技術專利。 新華社

本文共765字

經濟日報 記者黃雅慧/綜合報導

面對晶片卡脖子問題,華為近期公開新極紫外光(EUV)光刻新技術專利。華為專利《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》,而這種方法能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題,在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了優化,進而達到勻光的目的。

外界分析這是華為徹底放棄幻想,並釋出親自下場投入光刻機研發的訊號。

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光刻機是晶片製造不可或缺的關鍵設備,而光刻機技術最先進的廠商是荷蘭商艾司摩爾(ASML),其研發製造DUV光刻機和EUV光刻機,前者主要是生產製造28奈米以下低階製程的晶片,後者主要製造高階製程7奈米以下晶片。

EUV光刻機是掌握未來半導體先進製程的發展方向和制高點。EUV光刻機採用10-14奈米極紫外光做光源的光刻技術設備,是目前市場上技術水平最高的光刻機產品。但由於美國禁令,大陸廠商僅能購買DUV光刻機,但無法取得EUV光刻機。

所以,華為研發的高性能晶片例如麒麟9000等晶片因無法以ASML的高端EUV光刻機製造,加上目前大陸國產設備,短期內也無法生產7奈米、5奈米等先進工藝製程的晶片。

除華為以外,大陸國內機構也紛紛提出EUV光刻機相關技術,比如清華攻克光源技術壁壘,掌握可以用於EUV光刻機的新光源,中科院也掌握物鏡系統技術等。

儘管有技術,但光刻機製造不易,因其內部零組件超過10萬多個,需要龐大供應鏈配合,這恐怕是陸方要自製光刻機的一大阻礙。

而華為一方面研發光刻機,同時也開發「繞道」光刻機的技術。比如提出堆疊晶片技術、繞開美國壟斷技術的矽晶片而改以光電晶片等作法。

此外, ASML在日前的全球客戶交流會上則宣布將持續加大投資。持續向大陸企業出貨DUV光刻機等設備,並宣布將產能增加到90個EUV和600個DUV系統(2025-2026 年),還將 High-NA EUV產能增加到20個系統(2027-2028 年)。

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