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中國大陸廠商8吋碳化矽晶體出爐 台廠急起直追拚長晶

本文共908字

中央社 記者鍾榮峰台北19日電

中國晶盛機電日前宣布首顆8吋N型第三代半導體碳化矽晶體出爐,加上全球主要大廠布局8吋碳化矽基板腳步積極、競爭激烈,台廠正急起直追拚8吋碳化矽長晶晶圓。

中國積極布局第三代半導體碳化矽(SiC)基板,晶盛機電日前在官網宣布,12日首顆8吋N型碳化矽晶體出爐,晶坯厚度25mm,直徑214mm,並破解碳化矽元件成本中基板占比過高的難題。亞系外資法人報告指出,這代表中國廠商在大尺寸碳化矽晶體研發取得突破。

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產業人士分析,碳化矽基板製造關鍵難度在於長晶,高硬度、高脆性、低斷裂韌性的碳化矽晶圓,製造技術門檻高,包括對氣流、高溫製程等控制,其中長晶爐是攸關基板生長品質的重要環節,高溫製程所需的硬式遮罩層製程也是關鍵。

台灣廠商也加速布局碳化矽產品,例如台亞半導體子公司積亞半導體,將斥資新台幣45億元在竹科導入先進設備與智慧化生產系統,投入碳化矽半導體功率元件生產。

盛新材料日前透露,7月起研發8吋碳化矽晶圓,預計3年後2025年可有明顯成果,盛新材料與母公司廣運集團也合作開發8吋碳化矽長晶爐設備,盛新預估到明年長晶爐建置規模可到65台。

全球主要大廠布局8吋碳化矽晶圓和基板腳步相當積極,例如Cree全資子公司Wolfspeed投入10億美元建設8吋新廠,今年5月初宣布投產;Soitec於3月已啟動新晶圓廠建設計畫,主攻6吋和8吋第三代半導體晶圓製造,預計2023年下半年投產,5月初Soitec已公布首款8吋碳化矽SmartSiC基板。

法人指出,羅姆旗下SiCrystal預計明年開始量產8吋碳化矽基板、2025年量產8吋碳化矽元件;Ⅱ-Ⅵ在去年4月宣示未來5年內碳化矽基板的生產能力提高5至10倍,包括量產8吋碳化矽基板。

另外,包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、安森美(On Semi)等大廠,也積極布局8吋碳化矽晶圓生產線。

觀察應用在電動車和軌道交通的導電型碳化矽基板市場,法人引述數據指出,去年Wolfspeed占導電型碳化矽基板市場比重高達62%,Ⅱ-Ⅳ、SiCrystal、SKSiltron 市占率分別是14%、13%、5%;中國天科合達(870013.OC)占比約4%。

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