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大陸研發DRAM 拚年底量產

2019-06-14 23:21經濟日報 記者李仲維/綜合報導

長鑫存儲董事長朱一明 (網路照片)
長鑫存儲董事長朱一明 (網路照片)
日本經濟新聞報導,大陸企業將於年內開始量產動態隨機存取記憶體(DRAM),長鑫存儲有望於今年底至2020年初開始量產。對於在高性能半導體方面依賴海外的大陸來說,量產象徵邁出一大步。

報導稱,中國大陸為了實現半導體國產化的夙願,展現出毫不鬆懈的態度。

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長鑫存儲是大陸三家國家戰略型記憶體公司之一,2016年在安徽省合肥市政府等的支持下成立。公司為了生產針對移動設備等的DRAM晶片,推進價值人民幣550億元的項目。

報導稱,DRAM晶片負責數據的臨時記憶,左右智慧手機、伺服器等電子設備的性能。其市場規模達10兆日圓。由於對技術要求比較高,目前光是韓國三星電子、韓國SK海力士、美國美光科技三家企業,就占全球95%以上的市占率。大陸企業之前雖能夠生產供家電等使用的廉價普通晶片,卻不能生產DRAM晶片等高端半導體。

報導引述消息人士稱,長鑫儲存的DRAM科技主要來自2009年破產的奇夢達(Qimonda),但已經重新設計自家的DRAM晶片,將美國科技的使用量降到最低,以避免侵權和成為美國打擊的對象。

報導引述多位業界人士稱,長鑫存儲有望於今年底至2020年初開始量產。初期生產能力按矽晶圓來換算,每月可達到1萬片左右,不到全球產量的1%。不過,對於在高性能半導體方面依賴海外企業的大陸來說,開始量產就是邁出一大步。

消息透露,長鑫今年的資本支出將達10億至15億美元,已超越全球第四大DRAM製造商南亞科去年支出的6.5億美元。

大陸官方已將半導體產業定位為重點產業。2018年大陸半導體國內自給率為15%左右,但官方目標是到2020年將自給率提高至40%,到2025年提高至70%。分析師認為,若長鑫加快增加產能,未來二年或許將進一步衝擊已被壓低的DRAM價格。

有市場觀點認為,長鑫可能是美國華府下一個瞄準的目標。

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