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大陸記憶體晶片業者與南韓龍頭廠商的技術落差正在快速縮短，南韓半導體產業協會首次量化相關差距，目前大陸快閃記憶體（NAND Flash）約落後一年、DRAM約二年，HBM約三年，較過去約五年的差距明顯縮短。
快科技報導，NAND方面，三星和SK海力士2025年開始量產300層NAND，長江存儲同期量產270層，預計2027年提升至400層，與三星和SK海力士的差距收窄至一年左右。
DRAM方面，三星和SK海力士2023年開始量產DDR5，長鑫存儲2025年跟上，差距約二年。長鑫存儲已量產LPDDR5X，並啟動LPDDR6生產。
相較之下，HBM目前仍是大陸與南韓業者差距最大的領域，大陸HBM目前落後約三年。長鑫存儲剛啟動HBM3E模組試產，良率約25%，在TSV矽穿孔製程上仍面臨挑戰。
在HBM製造方案上，長鑫存儲採用長江存儲X-Stacking 3D NAND方案，在G4製程上構建HBM3E堆疊，不依賴傳統微凸塊，而是利用長江存儲的銅銅混合鍵合技術，縮短堆疊DRAM層之間的電路路徑。快科技稱，這一架構可讓長鑫存儲和長江存儲無需EUV光刻機製造具競爭力的HBM產品。
除製程追趕，長鑫存儲也持續擴大產能。長鑫存儲正擴張三座月產約10萬片的300mm DRAM晶圓廠在今年底達成月產30萬片的目標，2026年底還將擁有月產5萬片的HBM專用產能。上海和合肥各建一座新廠，建成後總產能將提升至月產60萬片，快科技稱有望在2030年按產量超越美光。
長江存儲預計2027年初達月產30萬片，部分用於LPDDR；兩座新廠2027年投產後，2028年總產能將達月產45萬至50萬片，三星2027年底NAND將月產35萬片。
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