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陸自製DUV大突破 可生產8奈米晶片...將衝破美國圍堵

大陸已取得技術突破,研發出深紫外光曝光機(DUV)。圖為艾司摩爾DUV。(路透)
大陸已取得技術突破,研發出深紫外光曝光機(DUV)。圖為艾司摩爾DUV。(路透)

本文共1069字

經濟日報 記者賴錦宏/綜合報導

大陸工信部公布一項通知顯示,大陸已取得技術突破,研發出深紫外光曝光機(DUV),可生產8奈米及以下晶片,目前正在推廣應用。

中美近年掀起科技戰,美國積極防止大陸取得先進晶片製造設備,但圍堵的成效不佳,有消息顯示大陸已在相關技術取得重要突破,引起科技圈關注。

大陸工信部官網9日公布「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」通知,下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。工信部稱,重大技術裝備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。「首台(套)重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品,包括整機設備、核心系統和關鍵零組件等。

這份目錄顯示,在積體電路生產裝備,其中一項是「氟化氬光刻機」(DUV曝光機),核心技術指標為:「晶圓直徑300mm,照明波長248nm,分辨率≦65nm,套刻≦8nm」。

大陸國產DUV概況
大陸國產DUV概況

這也代表,這台大陸國產DUV曝光機可生產8奈米及以下晶片。至於大陸國產DUV曝光機的(製造)良率則未提到。

大陸科技媒體「科學科技說」轉發上述內容稱,大陸自己的DUV曝光機終於來了,雖與晶片製造設備龍頭艾司摩爾(ASML)曝光機存在幾代差距,至少已填補空白,可控可用,期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機(EUV)。

從工信部的消息看,這次突破主要集中在28奈米。這一節點在半導體製造上具有舉足輕重地位,是許多晶片的基礎過程。這項突破的意義不僅在於技術層面的進步,更在於它為大陸帶來策略上的主動權。

這意味著在未來面對外在挑戰時,大陸將能夠更從容地應對並保持自身的獨立性和自主性。

美國本月初才宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制,荷蘭政府隔天跟進,路透報導,ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機(DUV)輸出大陸會受到影響,兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。有分析指,大陸若實現國產8奈米及以下製程DUV,未來絕大多數晶片製造將不用受制於ASML。

此外,日經中文網上月底報導,日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示,儘管良率上仍存有差異,但是大陸晶片的技術實力,目前僅落後台積電(2330)三年的水準。

他是在比較台積電2021年量產的5奈米「KIRIN 9000」及2024年中芯國際量產的7奈米「KIRIN 9010」後作出這項結論。

清水洋治並在分析華為智慧型手機後稱,到目前為止,美國政府的管制只是略微減慢了中方的技術創新,但卻推動了大陸半導體產業的自主生產。


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