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大陸3D NAND快閃記憶體製造商長江存儲（YMTC），日前再度將美光告上法院，指控美光侵犯了長江存儲11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江存儲還要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的記憶體產品，同時支付專利使用費。
美國科技網站Tomshardware報導，長江存儲指控稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列），侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。
值得一提的是，2023年11月，長江存儲在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費類產品事業部提告，指控美光侵犯8項與3D NAND Flash相關的美國專利。
今年6月7日，長江存儲由在美國加州北區聯邦地區法院提告，指控受美光資助的丹麥諮詢公司Strand Consult及副總裁雷頓（Roslyn Layton）散布虛假訊息，破壞長江存儲的市場聲譽和商業關係。
長江存儲正試圖透過專利來打擊美光，以獲得對抗美國打壓的籌碼。
美國商務部於2022年底將長江存儲列入了實體清單，這使得該公司無法從美國公司獲得先進的半導體設備來製造領先的128層及以上的3D NAND Flash器件。
儘管受到美國政府的嚴格限制，長江存儲仍繼續努力透過原有的設備，及大陸國產設備發展3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品依然在奮力的維持生產，並正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。
今年早些時候，長江存儲還宣布，已設法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水準（達到4000個程式設計/擦除周期），這大大改善了廉價SSD的特性。
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