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鎧俠新招 NAND 替代 DRAM

本文共524字

經濟日報 編譯陳律安/綜合外電

記憶體晶片製造商鎧俠控股3日提出計畫,將採用強化後的NAND快閃記憶體,作為部分DRAM替代選項,此舉有助於該公司深化與輝達等美國科技大廠的連結,並抵禦長江存儲等陸廠的衝擊。

該公司在簡報會上,展示運算快取互連(CXL)模組,該零組件是用於應對AI工作需求,可改善NAND的處理速度,目前正交由客戶評估。

人工智慧(AI)伺服器配備多種記憶體。用於暫時儲存資料的DRAM,讀取速度比NAND快,並與中央處理器(CPU)協同處理運算工作。然而,DRAM產能擴充不易,難以跟上日益成長的AI需求,價格也高於用於長期儲存的NAND,拖慢AI資料中心的普及速度。

鎧俠的CXL模組旨在取代部分DRAM需求。這款模組結合高速NAND與控制器,可把資料讀取延遲降至傳統NAND產品的十分之一以下,效能接近DRAM。鎧俠表示,以CXL模組取代系統中的部分DRAM,可使記憶體容量增加一倍,並將效能提升30%。

鎧俠希望藉由建立DRAM替代方案,在業界仍高度依賴NAND產品的情況下,搶占部分DRAM需求,以穩定獲利基礎。

鎧俠專注於NAND記憶體,產品線較為單一,更容易受到市場環境變化影響。南韓三星電子、SK海力士,以及美國美光等競爭對手,則同時生產NAND與DRAM。

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