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三星、輝達強化 NAND 合作

本文共310字

經濟日報 編譯陳律安/綜合外電

南韓科技巨頭三星正擴大與輝達的合作關係,不僅涵蓋DRAM、高頻寬記憶體(HBM)晶片與晶圓代工,如今也進一步加強供應儲存型快閃記憶體(NAND Flash)。

這意味全球記憶體需求持續強勁,輝達為滿足AI愈來愈強大的推理與生成功能,需要更多儲存晶片支援,因而擴大與三星在NAND晶片合作。

《首爾經濟日報》引述消息人士報導,三星憑藉龐大產能,將擴大對輝達供應旗艦級第九代V–NAND(V9),同時也開始量產並交付第十代V–NAND(V10),並加速研發最多堆疊500層的V11。

隨輝達等科技巨頭對AI伺服器等級的NAND晶片需求激增,三星迅速把產線轉向V9;目前該公司把約60%的V-NAND產能分給V9,使其躍居主力產品。

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