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經濟日報 編譯季晶晶／綜合外電
首爾經濟日報援引未具名業內人士消息報導，三星電子正與輝達（NVIDIA）合作，加速開發下一代NAND快閃記憶體晶片。
報導指出，由三星半導體研究院、輝達和喬治亞理工學院合組的聯合研究團隊，已成功開發出一種名為「物理資訊神經算子」的模型，能以比現有模型快逾10,000倍的速度分析鐵電基NAND元件性能。相關研究成果已對外公布。
基於上述成果，三星目前正與輝達合作推進鐵電NAND快閃記憶體的開發與商業化應用。
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