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因應 AI 儲存需求 鎧俠傳明年量產新一代 NAND 晶片

鎧俠北上廠。/擷自鎧俠官網
鎧俠北上廠。/擷自鎧俠官網

本文共444字

經濟日報 編譯劉忠勇/綜合外電

日本記憶體晶片製造商鎧俠控股(Kioxia Holdings)據傳計劃明年開始在岩手縣的晶圓廠生產新一代的 NAND 快閃記憶晶片,希望大幅提升長期資料儲存容量,來滿足AI資料中心龐大的運算需求。

據日本經濟新聞報導,鎧俠岩手廠將以所謂「第10代」技術展開量產。將堆疊記憶體的層數從第8代的218層拉高到332層,每單位面積的儲存容量可提升59%,資料傳輸速度也能提高33%,同時還能降低耗電。

外界原先推測,鎧俠可能會在負責研發的三重縣四日市的晶圓廠量產新晶片。但多位知情人士向日經透露,量產地點將改在岩手縣北上市的晶圓廠。

鎧俠並未規劃擴建,而是使用園區內 9 月剛開始運轉的晶圓二廠(Fab2)量產。

據報導,鎧俠採雙軌策略路線:一方面開發並量產高效能、但投資成本較低的產品;另一方面則推出層數更多、容量更大的大型產品。

第10代晶片正是鎧俠鎖定的大容量產品,四日市廠將持續負責高效能產品;至於需要大筆資本投入、透過增加層數來擴大容量的產品,則改由北上市廠負責量產,確保整體生產運作更有效率。

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