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ASML:EUV曝光層將增加 6年支出估雙位數複合成長

本文共532字

中央社 記者張建中新竹14日電

半導體微影技術領導廠艾司摩爾(ASML)今天表示,至2030年前客戶可能增加製程中極紫外光(EUV)曝光層,預期2025年至2030年高階邏輯和記憶體晶片的6年EUV技術支出,年複合成長率將達2位數百分比水準。

ASML今天舉辦線上投資人會議,說明公司長期策略及全球市場和技術趨勢。總裁暨執行長福克(Christophe Fouquet)說,ASML有能力將EUV技術延伸到下一個10年,並擴展多功能的全方位微影產品組合,使ASML能夠充分貢獻和掌握人工智慧(AI)帶來的機會,並實現顯著的營收和獲利成長。

ASML表示,AI帶來的發展將是驅動整體社會生產力與創新的主要動力,並為半導體產業創造顯著商機,預期將推動2030年全球半導體銷售額突破1兆美元。

ASML預期,至2030年前,客戶可能增加製程中的EUV曝光層。ASML將持續提升EUV技術的成本效益,協助客戶在高階邏輯及記憶體晶片製程中,藉由使用EUV 0.33 NA和EUV 0.55 NA,改變成單次曝光。

ASML預估,2025年至2030年間高階邏輯和記憶體晶片中EUV微影技術的支出,年複合成長率將達2位數百分比水準。2030年ASML營收可望達440億至600億歐元,毛利率約56%至60%。

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