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三星李在鎔獲赦後第一箭 半導體研發投資4800億

三星電子副會長李在鎔。美聯社
三星電子副會長李在鎔。美聯社

本文共799字

中央社 記者廖禹揚首爾19日專電

韓國三星電子副會長李在鎔今天出席獲特赦恢復公民權後的第一場正式活動,宣布將在2028年前對半導體尖端技術園區投資20兆韓元(約新台幣4800億元),目標以次世代技術開發克服當前經濟難關。

韓聯社報導,李在鎔上午出席在京畿道龍仁市三星電子器興(Giheung yeok)園區舉行的次世代半導體研發園區動工儀式,包括預計在2025年中完工啟用的半導體研發專用產線,三星電子規劃至2028年為止,將在這座半導體技術研發園區投入20兆韓元規模資金。

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李在鎔致詞表示,半導體產業不只本身市場規模大,對其他產業也會帶來相當高的附加價值。40年前三星電子為建設半導體工廠,首次在器興動工,「若沒有這些對次世代、甚至次次世代產品果斷的研發投資,就不會有今天的三星半導體」。

李在鎔表示將延續三星電子重視技術、領先投資的傳統,「讓我們一起用尚未面世的技術創造未來」。

朝鮮日報報導指出,李在鎔近期不斷強調技術的重要性,尤其國際半導體產業競爭激烈,台積電不斷領先發展技術,中國業者也緊追在後,讓三星的技術研發需求更迫在眉睫。

李在鎔6月訪歐結束返韓時也曾強調發展技術的重要性,「(我們要做的)第一是技術、第二是技術、第三也是技術」。

今天動工的研發園區占地約10.9萬平方公尺,三星電子預計在此研發包括記憶體、無廠(fabless)系統半導體、晶圓代工等半導體相關核心技術。

這次是李在鎔15日獲光復節特赦、恢復公民權後的第一場正式活動,重點聚焦於外界最為關注的半導體產業。李在鎔12日得知將獲特赦消息時表示,會為國家經濟竭盡全力。

李在鎔於動工儀式結束後前往華城園區與半導體相關員工會談,直接聽取建議,並在半導體研究所主持會議,討論半導體產業當前主要面臨困境與風險、次世代半導體技術研發進展,以及為大幅領先其他競爭者的技術能力確保方案等。

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