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傳三星將開始量產3奈米晶片 領先台積電和英特爾

本文共427字

中央社 首爾29日綜合外電報導

韓媒報導,韓國三星電子(Samsung Electronics)明天將開始以環繞閘極(GAA)架構,量產3奈米晶片。三星電子已為迎頭趕上全球晶圓代工龍頭台積電奠定基礎。

根據「韓國商報」(Business Korea)報導,三星電子明天將正式宣布量產GAA架構的3奈米晶片。GAA電晶體架構可以縮減晶片體積,減少能耗,優於目前的鰭式場效電晶體(FinFET)架構。

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報導中表示,三星電子開始採用最新GAA架構的時間,遠比台積電和英特爾(Intel)還早,台積電和英特爾分別預計在今年下半年和明年下半年開始量產3奈米晶片。

三星的GAA技術吸引了外界的目光,美國總統拜登(Joe Biden)5月20日參觀三星平澤(Pyeongtaek)半導體廠時,在一片GAA原型晶片留下簽名,當時由三星電子副會長李在鎔直接向韓國總統尹錫悅和拜登進行簡報。

報導最後表示,今年稍早,部分產業觀察家懷疑三星可能會因為良率低而延後投產3奈米晶片。這些疑慮後來證明是毫無根據。

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