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拜登亞洲行抵南韓 首站參訪三星電子3奈米製程

本文共371字

經濟日報 編譯林奇賢/綜合外電

美國總統拜登20日抵達南韓,隨即在南韓總統尹錫悅陪同下前往三星電子平澤園區參訪,由三星電子向他展示最先進的3奈米晶片製程。

韓聯社報導,拜登展開上任以來首次亞洲行,首站造訪南韓,預計將在南韓停留三天。美聯社報導指出,拜登在韓國的第一個參訪地點是三星晶片廠,凸顯拜登此行的焦點之一是電腦晶片短缺問題。三星利用拜登此次訪問,向拜登示範準備在美國德州建造的半導體廠。

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知情人士透露,三星預計將展示採用環繞閘極技術(GAA)架構的3奈米製程工藝;三星將在未來幾個月內以這項次世代的技術量產,「三星可能向拜登展示3奈米製程,以強調其晶圓代工實力足以與台灣的台積電抗衡」。

根據三星的說法,相較於5奈米晶片製程,GAA製程最多能讓晶片尺寸縮小35%,同時將性能提高30%、功耗降低50%。三星還說,旗下2奈米的製程節點尚處於開發的早期階段,預定2025年量產。

美國總統拜登(右3)在南韓總統尹錫悅(右2)陪同下參訪三星平澤園區。 美聯社
美國總統拜登(右3)在南韓總統尹錫悅(右2)陪同下參訪三星平澤園區。 美聯社

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