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三星宣稱 3奈米GAA製程研發進度領先台積電

南韓三星電子宣稱其GAA技術研發進度超前台積電。   路透
南韓三星電子宣稱其GAA技術研發進度超前台積電。 路透

本文共630字

經濟日報 編譯黃淑玲/綜合外電

南韓媒體Business Korea報導,三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung周三(25日)在一場網路技術論壇中表示,三星能夠搶在主要競爭者台積電(2330)(2330)之前,宣布GAA(閘極全環)技術商業化。GAA技術是次世代晶片先進製程的核心。

三星在線上舉辧三星技術與職涯論壇,Jeong Eun-seung發表專題演講。他說:「我們開發中的GAA技術,領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術,我們的晶圓代工事業將可更加成長。」該論壇是三星裝置解決方案事業部門為吸引全球工程人才所設。

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Business Korea指出,GAA是3奈米製程的關鍵,全球大型晶圓廠不久的將來將會採用這項技術。GAA技術的優點在於改變電晶體架構,將之由鰭式場效電晶體(FinFET)的3D轉為GAA的4D。三星2019年與客戶測試其所設計的3奈米製程,結果顯示,GAA技術縮減晶片面積程度達到45%,功率效率增加50%。

不過半導體業分析師強調,誰可以率先將GAA技術商業化,還需要再觀察,主要因為以2011年到2020年全球申請GAA相關專利的案件數來看,台積電占比31.4%,比三星的20.6%還要多。台積電也非常活躍,想搶先將GAA商業化。

三星表示,與台積電在技術方面的競爭近身肉搏,Jeong說:「三星的晶圓代工事業2017年才開始,不過我們將以在記憶晶片領域的技術根基,超車台積電。」他舉例三星曾在台積電之前,就將FinFET技術應用在一項14MHz產品。

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