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半導體鏈強攻「美國製造」 漢唐、智原等營運有望受惠

半導體示意圖。美聯社
半導體示意圖。美聯社

本文共736字

經濟日報 記者鐘惠玲/台北報導

地緣政治因素推動下,這幾年半導體廠布局美國製造趨勢日益明顯,相關供應鏈業者不管是與台積電(2330)或英特爾陣營合作,或兩者皆有合作,都有機會受惠此波商機,包括帆宣(6196)、漢唐(2404)、力旺(3529)、聯電(2303)、智原(3035)等。

在先進製程方面,台積電日前法說會中,首度透露該公司未來2奈米以下先進製程產能,約有三成將配置在美國亞利桑那州廠。

台積電宣布擴大美國投資,總投資金額將達1,650億美元,除原先已規畫在亞利桑那州建置三座晶圓廠,將新增興建另外三座新晶圓廠、二座先進封裝廠,以及一座研發中心。

台積電亞利桑那州第一座晶圓廠已於去年第4季採用4奈米製程技術量產,第二座晶圓廠將採用3奈米製程技術,已完成建設,正依客戶對AI相關的強勁需求,加速量產進度,第三座廠也已於近期動土。

漢唐是第一波與台積電共赴美國設廠的夥伴,為其亞利桑那州廠區興建無塵室工程。帆宣也是協助台積電亞利桑那州廠建設的供應鏈夥伴,公司看好今年將擺脫之前美國布局損失的陰霾。

另外,智原去年初宣布與安謀(Arm)及英特爾合作,可於英特爾18A製程基礎上開發64核系統單晶片,近日更對外展示以18A製程打造的測試晶片。

矽智財廠力旺董事長徐清祥近日也談及在英特爾18A與18A-P製程中,可導入利用該公司NeoPUF基礎的安全性IP,讓外界看好其有機會搭上相關先進製程應用列車。

成熟製程也有美國製造的空間。英特爾與聯電共同開發12奈米FinFET製程技術,預計2026年先完成製程開發並通過驗證,2027年進入量產,目標瞄準12奈米製程到2028年時,整體市場規模可能超過200億美元。


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