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埃米製程軍備賽三雄拚了 High NA EUV 年底前到位

艾司摩爾(ASML)的最新的高階晶片生產工具:高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備。  路透
艾司摩爾(ASML)的最新的高階晶片生產工具:高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備。 路透

本文共885字

經濟日報 記者尹慧中/台北報導

半導體下世代埃米製程戰火延燒,台積電(2330)、英特爾、三星軍備賽同步啟動,三家公司今年底前都將引進最先進的高數值孔徑極紫外光顯影設備(High NA EUV)。由於一台高數值孔徑極紫外光顯影設備要價4億歐元(約新台幣143億元),三強比技術、比軍備之餘,也要比誰的口袋深。 

隨著製程技術推進,要價不斐的高數值孔徑極紫外光顯影機台成為未來晶圓廠生產不可或缺的關鍵機台。

英特爾率先喊出取得多台高數值孔徑極紫外光顯影機台並陸續到貨安裝,同時公開表態要成為業界最快導入相關機台的廠商。

半導體三雄High NA EUV到位概況
半導體三雄High NA EUV到位概況

台積電方面,公司規劃今年擁有高數值孔徑極紫外光顯影設備,但尚不會導入商業化量產使用。

台積電資深副總暨副共同營運長張曉強先前在台積電技術論壇中公開表示,台積電2024年會擁有高數值孔徑極紫外光設備,但還不準備運用新設備來生產,主要使用目的是跟夥伴進行研究。

張曉強強調,相信台積研發團隊會做出最好的決定,在何時何處選擇下一代EUV來應用。

即便尚不準備使用最先進的機台,台積電在埃米世代製程布局仍持續進行,規劃最先進的A16製程預定2026下半年量產,將先在台灣投產。

台積電強調,相信N2、N2P、A16及其衍生技術將進一步擴大公司技術領先優勢,並得以在未來掌握成長機會。

三星先前未對導入高數值孔徑極紫外光顯影設備時程表態,一度傳出要到明年才會取得相關機台。南韓媒體則披露,三星正加快導入高數值孔徑極紫外光顯影設備腳步,預計今年底就會取得第一部機台,外傳將先用於華城廠區的半導體研究應用。

隨著三星加快腳步取得高數值孔徑極紫外光顯影設備,今年底將與台積電、英特爾都擁有最先進的顯影機台,業界新一波軍備賽正如火如荼開打。

據了解,艾司摩爾(ASML)規劃今年至少五至六台高數值孔徑極紫外光顯影設備,英特爾可能取得多數,並於今年4月喊出首台設備組裝完成,預計2027年啟用、將先用於其Intel 14A製程。台積電確保今年至少保有一台,SK海力士計畫明年導入EXE:5200版本;三星原先計劃明年取得,目前改為希望爭取今年底到手,並用於在研發部門。


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