本文共4594字
AI 浪潮推升運算需求，記憶體角色也正快速轉變。為解決容量與頻寬瓶頸，業界提出高頻寬快閃記憶體（HBF），作為高頻寬記憶體（HBM）的關鍵補充，引發市場關注是否將牽動 DDR4、DDR5 生態。隨美光等大廠調整產能布局、資源轉向 AI 記憶體，供需結構出現變化。對此，《經濟日報》分析，記憶體產業正進入以 AI 為核心的新一輪重分配階段，價格與族群表現成為市場焦點。
一、為了滿足AI需求 新一代HBF是什麼？
高頻寬快閃記憶體（HBF；High Bandwidth Flash）是於2025年由SanDisk（現隸屬 Western Digital）所提出，其定位為補足、擴充用於AI資料中心的動態隨機存取記憶體（DRAM）-HBM（High Bandwidth Memory）的方案。
在邊緣運算或資料中心，「記憶體容量」成為瓶頸，而HBF被定位為「記憶體中心化 AI（Memory-Centric AI）」架構的關鍵。
HBF的優勢在於可大幅提升容量，使GPU、加速器等能連結更大記憶體空間，根據SanDisk公布資料，HBF在容量是HBM的8～16倍 。並且，能同時實現與HBM相似的傳輸頻寬。
HBF採用 NAND-Flash基底且以多層堆疊（最高16層）形式實現高容量與高速資料傳輸。SanDisk預計於2026年下半年交出首批樣品，並推估2027年才可能實際裝載於產品上。
二、HBF加速AI發展 與HBM差在哪？
HBM是「以DRAM為基底」的高頻寬記憶體；HBF則是「以NAND-Flash為基底」的高頻寬快閃記憶體。
以簡單比喻來說，HBM就像「AI大腦旁邊的一張超近、超快的桌子」，由於HBM為直接貼在GPU旁邊，所以提取資料拿得「非常快」，平時就被用於AI訓練以及進行即時且大量、需要立刻反應的運算，不過，其「揮發性記憶體」的特性，使其資料遇到斷電後就會消失，同時，HBM的製作成本相對來說較高。
而HBF則可看作為「AI旁邊的一個超大、很近的資料櫃」，HBF有著NAND Flash的基本架構，所以賦予其較強的儲存功能，不僅資料可以存很久，就算斷電也不會不見，此外，容量可以做得非常大、單位容量成本也低很多，由於AI模型越來越大，參數動輒幾百GB、甚至TB，容量變成至關重要的問題，也因此讓HBF成為繼HBM後的新選擇。
對於HBF來說，其主要工作為跳過繁複所雜的訓練過程，而是直接利用相關資訊進行AI推論，並且，作為大型語言模型的參數存放，且用於不是每一筆資料都要即時反應的情境。
不過，HBF雖然完美的解決容量問題，但速度卻也成為其最大的硬傷，因此，HBF的應用區域主要在 資料中心加速器、AI模型推理／記憶體密集型場景，而不是典型PC或伺服器的DRAM主記憶體。
📊 HBM與HBF技術差別對照表）
項目
| HBM
| HBF
|
|---|---|---|
| 基底記憶體 | DRAM | NAND-Flash |
| 是否揮發 | 是 | 否 |
| 堆疊方式 | DRAM TSV 垂直堆疊 | 3D NAND 多層堆疊 |
| 典型層數（示例） | 8-High、12-High（往 16-High 發展） | 16 層以上（依 NAND 世代） |
| 主要優勢 | 極低延遲、超高頻寬 | 超高容量、成本／GB 較低（目標） |
| 主要用途 | GPU、AI 訓練、HPC | AI 推論、大模型參數池（定位） |
| 能否取代 DDR | ❌ 不行 | ❌ 不行 |
註：HBM 8-High與HBF NAND 的「層」不是同一件事，此表為技術定位整理，規格與實際表現需以各廠最終產品公告為準。
| ||
三、技術更強、性價比更高 取代DDR族群近了？
首先，DDR4／DDR5 在主記憶體如主機板的記憶體插槽、CPU 側記憶體等市場中，扮演低延遲、高通道、與 CPU／主機板生態密切整合的角色，技術地位與需求仍在。相較之下，HBF與HBM所針對的多為如 AI加速器、GPU記憶體等對高速、容量、頻寬有極端需求的產品打造，這與一般系統記憶體需求並不完全重疊，所以在技術上，兩類可說是不衝突。
但是，美國記憶體晶片龍頭美光科技（Micron）先前表示，將退出其消費者業務，不再把記憶體賣給消費者，以便專注於投入AI資料中心所使用的先進記憶體晶片。
在AI、大模型、資料中心記憶體需求強勁，一般記憶體又面臨貨源短缺的情況下，資源（廠能、研發）可能更多投入HBF、HBM等高階記憶體技術，而相對降低在傳統DDR4／DDR5的創新或降成本投入。
在記憶體製造中，晶圓、製程、封裝、測試等資源有限。產能投向高階DRAM／HBM可以獲得更高價值。
對此，美光主管業務長薩達納（Sumit Sadana）先前就公開表示：「AI帶動的資料中心成長，已經促使記憶體與儲存的需求激增」，「美光做出退出Crucial消費者業務的艱難決定，是為了為我們在更快速成長領域中的大型、具策略性的客戶改善供應並提供支援」。
美光表示，相較於利潤高的AI運用的HBM、HBF類別，其消費品牌（如 Crucial）所處的 PC／個人用記憶體／SSD市場，面對激烈價格競爭、通路成本、折扣促銷頻繁，導致整體利潤率較低。
📊 性價比比較與對 DDR4／DDR5 的潛在影響（HBM／HBF 對照）
討論面向
| HBM（DRAM 堆疊）
| HBF（NAND 高頻寬）
| 對 DDR4／DDR5 的潛在影響
|
|---|---|---|---|
核心訴求（為何出現）
| 在 GPU／加速器旁提供極低延遲與超高頻寬，支援 AI 訓練與 HPC。
| 以 Flash 提供更高容量並朝高頻寬靠攏，補足 AI 推論與大模型參數量快速膨脹的需求。
| 主要服務加速器端；DDR4／DDR5 仍是 CPU 端通用主記憶體，短期不會被直接取代。
|
效能特性（相對）
| 頻寬極高、延遲低，適合即時計算與高頻存取。
| 頻寬目標接近 HBM，但延遲高於 DRAM，較偏資料承載型用途。
| DDR 的優勢仍在低延遲與通用性，HBM/HBF 改變的是分層架構，而非主記憶體定位。
|
成本與供應（相對）
| 成本高，仰賴先進封裝與堆疊製程，供應易受產能瓶頸影響。
| 單位容量成本較低（相較 DRAM），但仍受新技術成熟度與良率影響。
| 資源轉向 HBM/HBF，可能使 DDR4／DDR5 的供應優先順序下降，價格修正空間受限。
|
註：本表為相對比較與產業結構分析，未填入單一精確數值，避免在產品與量產尚未完全明朗前造成誤導。實際影響仍取決於 AI 需求強度、HBM/HBF 量產進度，以及先進封裝與晶圓產能配置。
| |||
四、記憶體的利多還是利空？外資、市場怎麼看？
美光執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）在與分析師的電話會議中表示，強勁且持續的產業需求，加上供給受限，導致市場環境緊俏。他預期記憶體短缺現象將持續至2026年之後。此外，根據報導，傳統 DRAM、記憶體庫存周轉變短（從 13–17周降至 2–4周）顯示供應偏緊。製造商減少低階或舊節點產能轉向高階。
這意味著，消費性記憶體可能面臨更大的供應壓力與成本上升。這可能導致傳統 DRAM DDR4、DDR5在技術升級、成本優化上的投入可能下降、產品更新速度放慢，以及價格優化幅度減小，但對生產、供應鏈來說，報價都有望跟著上升，有望帶動相關業績。
對此，美光也上修DRAM位元需求成長率預估至20%-30%區間的下緣，高於先前預測的10%-20%區間下緣，NAND快閃記憶體位元需求成長率也調高到10%-20%區間的上緣，也高於前估的10-15%區間，並預期明年DRAM和NAND快閃記憶體的位元出貨量成長仍將受限於產業供應。
外資觀點同樣偏多。彭博分析師席佛曼（Jake Silverman）指出，記憶體價格上漲趨勢在短期內難以緩解，供需失衡將持續支撐報價。另有美系外資在最新出具的「2026年半導體展望」報告中，維持對大中華區半導體產業「具吸引力」的看法，並點名記憶體、半導體設備與晶圓代工為三大受惠族群，利基型記憶體的南亞科（2408）、群聯（8299）、華邦電（2344），皆給予「優於大盤」評級。
力積電（6770）、旺宏（2337）、創見（2451）、鈺創（5351）、品安（8088）等記憶體族群同步看俏。
鈺創（5351）董座盧超群則指出，當前DRAM最大的問題不在需求，而是「沒有新產能」。不只是鈺創，包括全球最大記憶體廠三星在內，整個產業在過去四、五年都經歷相當辛苦的低潮期，資本支出趨於保守。如今市場走出谷底，DRAM只是回到「它本來就該有的價值」。盧超群預估2026年，DRAM可以確定將呈現供不應求。
此外，後段封測廠訂單蜂擁而入，產能利用率明顯拉升，國內其他記憶體封測廠華泰（2329）、力成（6239）、南茂（8150）、華東（8110）等營運齊受惠。
（資料來源：記者李慧蘭、朱子呈、簡永祥、李孟珊；編譯季晶晶；AI協助製稿)
留言