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經濟日報 編譯林奇賢／綜合外電
韓媒ETNews引述知情人士報導，美光科技（Micron）計劃將高頻寬記憶體（HBM）月產能擴增至去年的兩倍，旨在透過增產來提高市占。目前美光的HBM產能落後三星電子和SK海力士。
知情人士說，美光計劃在今年底前將HBM每月產能，最多增加6萬片晶圓，光是增加的產能，就高於去年該公司月產能4萬至5萬片。
熟悉此事的業內人士表示：「美光正在推進大規模的設施投資，以迅速提高HBM4產能。到今年底，該公司將確保HBM的月產能達到約10萬片晶圓。」
為確保產能，美光正向多家HBM製造設備商下更多訂單。
據了解，連續生產設備正陸續交付至美光位於台灣和新加坡晶圓廠的HBM生產設施。
預計美光12層的HBM4產量占比將大幅提升。儘管美光今年初12層的HBM4產量占比僅20%至30%左右，但到年底此一比率最多將提高至50%。
美光今年第2季開始量產12層的HBM4，將應用於輝達（Nvidia）最新的AI加速器Vera Rubin。
雖然美光是全球三大HBM晶片製造商之一，但產能仍不如三星電子和SK海力士。業界估計，三星電子和SK海力士的HBM產能是美光科技的三到四倍（月產能各約15萬到20萬片晶圓）。
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