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被稱為「終極功率半導體」、使用金剛石的電力控制用半導體的開發取得進展。與作為新一代功率半導體的碳化矽(SiC)產品和氮化鎵(GaN)產品相比,耐高電壓等性能出色,電力損耗被認為可減少到矽製產品的五萬分之一。金剛石功率半導體的耐熱性和抗輻射性也很強,到2050年前後,有望成為人造衛星等所必需的構件。
金剛石的魅力在於其突出的潛能。即便電壓高達矽製功率半導體的約30倍,也不會遭到破壞,而且散熱性能是矽製產品的10倍以上。理論上可實現電力效率優於矽製產品5萬倍的功率半導體。
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