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臺日半導體研討會聚焦矽光子與先進封裝 何美玥、川合現 致詞力挺

中華民國東亞經濟協會(CEAEA)與國立陽明交通大學國際半導體產業學院(ICST) 9月4日攜手主辦「2026 臺日半導體先端科技研討會」,與會產官學貴賓合影。 吳榮邦/攝影
中華民國東亞經濟協會(CEAEA)與國立陽明交通大學國際半導體產業學院(ICST) 9月4日攜手主辦「2026 臺日半導體先端科技研討會」,與會產官學貴賓合影。 吳榮邦/攝影

本文共2012字

經濟日報 項家麟

「2026 臺日半導體先端科技研討會」於 今(4)日圓滿舉行,匯集產官學界菁英,聚焦矽光子與先進封裝等議題,深入探討台日半導體產業合作的新契機,並邀請總統府國策顧問何美玥開幕致詞,以及日本台灣交流協會川合現副代表擔任貴賓致詞,為活動揭開序幕。

該研討會由中華民國東亞經濟協會(CEAEA)與國立陽明交通大學國際半導體產業學院(ICST)攜手主辦,並獲 SEMI 國際半導體產業協會、3D-IC 與矽光子異質整合產學聯盟、瑞穗銀行及台日半導體科技促進會鼎力協辦,展現台日半導體產官學研的深厚鏈結。

總統府國策顧問何美玥致詞表示,當前半導體產業已非單純技術競爭,而是攸關全球科技發展、經濟安全與產業韌性的關鍵戰略領域。尤其在生成式AI、高效能運算與智慧製造帶動下,先進半導體需求大增,更凸顯全球供應鏈的重要性。台日同為亞洲半導體重鎮且高度互補。台灣具備完整且高整合度的晶圓製造與封測聚落,日本則在關鍵材料、設備與零組件擁有深厚實力;面對全球供應鏈重構,雙方深化合作不僅能強化彼此競爭力,更能大幅提升亞洲供應鏈的韌性與安全。期許透過本次研討會邀集台日四位專家的深度對話,為雙方半導體產業開創更多合作新契機。

總統府國策顧問何美玥於研討會開幕致詞。 吳榮邦/攝影
總統府國策顧問何美玥於研討會開幕致詞。 吳榮邦/攝影

日本台灣交流協會川合現副代表表示,隨著全球AI爆發性普及,資料中心耗電遽增與微縮物理極限,讓產業邁入「後微縮」時代,而「矽光子」與「先進封裝」正是突破瓶頸的關鍵解方。矽光子以光代電實現節能與高速傳輸,先進封裝則透過高密度晶片整合直接躍升運算效能。台灣在尖端製造與先進封裝引領全球,日本則在關鍵材料、零組件及精密設備深具優勢,台積電於日本筑波設立 3DIC 研發中心即是最佳典範。台日深化合作必能促成關鍵技術突破,交流協會亦將汲取研討會成果向日本政府提出政策建言,共同驅動半導體次世代創新。

日本台灣交流協會川合現副代表擔任貴賓致詞。 中華民國東亞經濟協會/提供
日本台灣交流協會川合現副代表擔任貴賓致詞。 中華民國東亞經濟協會/提供

值得一提的是,研討會也特別邀請國立陽明交通大學國際半導體產業學院院長陳冠能博士擔任專家座談主持人,陳院長身兼矽光子與先進封裝產學聯盟會長、日本東京科學大學特任教授等要職,從事先進封裝與三維積體電路研究超過26年,為全世界此領域首屈一指的科學家,發表論文四百餘篇與各國專利近百項,並與國內外三十餘間的企業進行產學合作與技術授權。陳院長與東亞經濟協會及多家日本企業進行產學合作,並積極參與台日間的半導體人才培育,促進台日半導體的技術交流。

同時也很難得邀請到台灣和日本各二位對未來台日在半導體產業合作的趨勢有深入研究的專家發表演講,包括鎖定 AI 叢集短距光互連、開發新世代 Micro-VCSEL 共封裝光引擎的瑞利光智能共同創辦人何志祥、國內首家成功將半導體製程與設備整合,應用於氧化鋁及氮化鋁基板之被動與保護元件的先驅的璦司柏電子總經理余河潔博士、日本三大巨型商業銀行之一瑞穗銀行山口意資深分析師、日本積層型3D-IC業界先驅東北MicroTec CEO元吉真博士。

瑞利光智能(RVi,創櫃板 7699)共同創辦人何志祥於座談中指出,AI 光互連是台日「共同產品」的最佳起點,AI 資料中心已從運算移轉至資料傳輸,跨機櫃光互連預計 2027 年起放量,而客戶認證需時 12 至 18 個月,「設計導入的卡位窗口就是現在」。一顆共封裝光引擎的物料清單天然橫跨台日兩地,台灣擁有磊晶、先進封裝與量產測試的速度,日本則掌握精密材料、光學元件與長週期可靠度。RVi 以 Micro-VCSEL 光引擎搭配 AI 晶粒級檢測與分選技術,鎖定 AI 叢集短距光互連,現正與國際一線客戶進行驗證。他呼籲台日產業以「共同規格、付費試產、互為第二供應源」三項機制,從零件買賣走向共同產品,此外「熊本模式已證明台日互信,下一步是把信任做進一顆產品裡。」

璦司柏電子以3D AlN陶瓷中介層切入AI光電整合,布局LPO、OBO至NPO/CPO新世代高速互連,備受業界矚目。余河潔總經理表示,隨著AI伺服器與高速資料中心邁向224G、448G高速傳輸,光電模組正由傳統Pluggable、LPO逐步朝OBO、NPO及CPO架構演進。璦司柏電子聚焦3D AlN Ceramic Interposer,將高導熱氮化鋁陶瓷與厚銅線路、全銅填孔及3D銅結構整合,提供高速訊號傳輸、低電感接地、熱擴散及精密光學對位等多重功能。相較傳統陶瓷基板,3D AlN Ceramic Interposer可進一步整合Optical Engine、EIC及高速ASIC之間的電氣與機械連接,縮短高速訊號路徑並提升封裝散熱與光學定位穩定性。璦司柏電子亦可透過模組化3D AlN陶瓷中介層設計能力,協助光通訊產品由LPO型態逐步延伸至LPO-based NPO、OBO及CPO,降低組裝複雜度並縮短產品設計週期與上市時間。面對AI光互連快速成長,璦司柏電子正由AlN陶瓷基板供應商,進一步朝系統級先進封裝(Advanced SiP)及Optical I/O Interposer解決方案發展。

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