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半導體前瞻技術系列研討會11月9日線上開講

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三建資訊11/9舉辦2場日本研討會。上午場EUV光阻劑邀請日本Film藤森亨(左)主講,下午場LCP邀請ENEOS鷲野豪介主講。 三建資訊/提供

本文共927字

經濟日報 孫震宇

由公私(產學)共育國內外高階人才計畫主辦、資策會執行、三建資訊協辦的半導體前瞻技術研討會,11月9日分別在上午10:00~12:00,下午14:00~16:00準時線上開講。

協辦單位三建資訊指出,上午場議題探討極致EUV微影微細化用光阻劑材料開發,邀請日本富士(Film)會社研發總部電子材料研究所經理藤森亨以應用市場的環境變化、微影微細化之演進、EUV微影三大主題進行研討,課程大綱包括:數位化環境、電子設備高速化、大容量化、省電力化之實例、曝光波長短波化,達成微影微細化、ArF液浸微影、富士Film的NTI技術延續ArF液浸微影、EUV微影演進、解決Outgas問題、金屬光阻之技術開發的EUV微影要素開發經驗。

推薦

藤森亨1991年進入富士公司,歷經Photo Film材、半導體新材料(Photoresist)、傳感器材料(Color resist)的研究開發、商品量產化、統籌工作。自2014年起在國家計畫EIDEC研究開發EUV用光阻劑材料,並從事EUV開發的生產線工作,專利申請案件超過200件。

三建資訊指出,EIDEC國家計畫(極紫外光微影基礎設施研發中心)是與日廠合作的研發中心,2015年曾經開發出新型光阻劑,加速10奈米製程進展的重大突破。

三建資訊指出,高頻世代通訊機器電路部材的絶緣材料對於低介電特性、特別是低介電損失材料需求擴大。在此背景下,對於廣為使用的聚醯亞胺材料的低介電損失之優質LCP液晶高分子更是備受矚目。下午場研討會以高頻LCP低介電損失減半(採分子設計開發)為題,日本ENEOS株式會社機能材料研究開發部LCP技術中心鷲野豪介,以案例詳述低介電損失LCP開發之介電特性評估,說明LCP特徵,及低介電化分子設計的概念,介紹低介電損失LCP之介電特性與其用途展開,並說明LCP在高頻世代的特性優勢。

兩場研討會將以日文進行演說並同步提供口譯及中譯版紙本講義,參加費用1,000元(兩位參加,一人免費)。匯款資訊:中國信託(822)城北分行,帳號:657-540116548三建資訊有限公司。洽詢電話(02)2536-4647分機10張小姐。



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