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比利時微電子研究中心（imec）在本周舉行的 iEEE國際電子會議（IEDM），發表多項有關磷化銦（InP）小晶片在12吋射頻（RF）矽中介層之上進行異質整合的重大進展。這些小晶片在整合後的140GHz插入損失僅有0.1dB，微乎其微。除此之外，在組裝一顆磷化銦（InP）兩級功率放大器之後，性能也未出現衰退。imec的研究成果率先實現這點，為開發100GHz以上高頻通訊和雷達感測應用的緊湊型高能源效率模組立下重要的里程碑。
imec表示，為了滿足更高速資料傳輸、更大寬頻和先進成像的需求，新一代通訊和（雷達）感測系統勢必要利用更高的頻段。此次轉變需要緊湊型且經過成本優化的高能源效率元件，這些元件不僅更高速運作，也傳輸比現有技術還高的輸出功率。
imec認為異質三五族／矽基CMOS技術是一條發展可期的路徑，尤其是磷化銦（InP）在毫米波和次太赫茲（sub-THz）頻段具備高增益和功率效率，所以突顯了開發潛能。然而，現有的磷化銦技術有些缺點，例如採用小尺寸晶圓和經過電子束微影的處理，同時設計區域還有一大部分由被動元件和基於金（Au）的後端電路所占據—使得磷化銦應用受限於小眾市場。
imec技術研究員Siddhartha Sinha解釋，「imec在必要時善用磷化銦（InP）來發揮其無可取代的性能，藉此，我們持續為可擴充且符合成本效益的毫米波和次太赫茲的解決方案創造發展條件。這也是採用小晶片方法越來越不可或缺的所在。」
Siddhartha Sinha說：「矽中介層一直是數位和高效能運算應用案例的關鍵。imec在開發其背後的推動技術方面累積了廣泛的專業知識，例如微縮的微凸塊、高深寬比的矽穿孔以及多層銅鑲嵌佈線，以滿足這些應用對高密度佈線的需求。而利用這方面的知識，我們現在持續把矽中介層技術改用於射頻應用，透過新增採用類似於CMOS製程的小型高性能磷化銦（InP）小晶片來予以調適。
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