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半導體製程正從奈米世代發展至1奈米以下埃米製程，1埃米是奈米的十分之一，隨著先進製程推進，台積電、三星、英特爾何時使用下世代EUV微影設備：高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV），或取得後如何平衡生產與成本都是各界關注焦點，先導入是否一定有勝算？
在英特爾、台積電先後對艾司摩爾 （ASML）下世代高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）設備取得狀況拋出看法後，三星計畫提前在今年底首次取得下世代EUV設備，以用於華城的研發部門需求，較先前傳出明年才取得用於研發的計畫提前，希望縮短和對手差距。而各廠對最新EUV設備看法的差異也透露產業現況。
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