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集邦唱旺高頻寬記憶體 今、明年記憶體產業一路走揚

動態隨機存取記憶體(DRAM)示意圖。 聯合報系資料照
動態隨機存取記憶體(DRAM)示意圖。 聯合報系資料照

本文共493字

經濟日報 記者李孟珊/台北報導

研調機構集邦科技(TrendForce)昨(22)日發布最新報告指出,受惠均價上揚,以及AI需求強勁帶動高頻寬記憶體(HBM)、四層單元(QLC)快閃記憶體崛起,今、明年全球記憶體產業營收將一路走揚,明年DRAM與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)營收更將同步改寫新猷。

法人指出,即便台廠在HBM領域並未著墨,仍將受惠三星、SK海力士、美光等記憶體廠大舉將既有DRAM產能提撥生產HBM,引動的DDR4與DDR5等DRAM生產銳減帶來的正面效益,南亞科(2408)、威剛(3260)、十銓(4967)、宜鼎(5289)、群聯(8299)等台廠都將搭上這波熱潮。

集邦分析,驅動DRAM產業營收增長的主要動能,包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復甦。此外,DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產品的滲透,同樣有助提高平均價格。

集邦估計,DDR5將分別貢獻2024年、2025年伺服器DRAM位元出貨量40%,以及60%至65%;LPDDR5/5X則分別貢獻2024、2025年行動記憶體(mobile DRAM)位元出貨量50%、60%。

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