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南亞科12吋先進晶圓新廠動土 台灣DRAM技術自主邁大步

本文共1356字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

台塑集團旗下DRAM廠南亞科(2408)(2408)斥資3000億元新建12吋廠今(23)日舉行動土典禮,總統蔡英文也親自到場祝賀,並盛讚為台灣DRAM邁向自主研發做出重大貢獻。南亞科總經理李培瑛並透露,編定為南亞科5A的新廠,預定進行為期三年的建廠工程及裝機。預定導入自主研發的1b製程,預定2025年完成建廠及試產、2026挹注收益。

南亞科全新的12吋廠位於新北市泰山南林科技園區禮,主要因應未來市場需求及擴大台灣DRAM產業的發展,南亞科技規畫興建一座雙層無塵室新廠及獨立置放極紫外光(EUV)微影設備的先進製程晶圓廠。

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今日動土典禮由台塑企業總裁王文淵及南亞科董事長吳嘉昭主持,蔡總統、新北市侯友宜市長、行政院沈榮津副院長、監察院李鴻鈞副院長、經濟部王美花部長等中央及地方首長、民意代表及半導體業界人士等約320人應邀出席。

南亞科表示,新廠基地包含「主廠房」、「研發大樓」及「水資源再生中心」,同時也將興建極紫外光(EUV)微影設備獨立廠房,以因應未來先進製程導入需求。

新廠將採用南亞科技自主研發的10奈米級(1B, 1C, 1D)製程技術生產DRAM晶片,並將運用「AI智慧製造」技術,全面提升製程效率。至於1A製程將於現有的12吋廠導入,預定今年下半年投產,成為台廠中率先將DRAM製程推進至10奈米製程的晶圓廠,展現自主研發實力。

新廠規畫分三階段進行擴建,每階段以月產能1.5萬片為目標,完成後月產能可達到4.5萬片晶圓,預計2025年開始裝機投片量產,全公司晶粒位元產出成長將達120%,每年預估可創造超過700億元產值,並提供約3000個優質工作機會,間接創造產業鏈數千個就業機會。

台塑企業總裁王文淵表示,DRAM是關鍵的零組件,即使歷經2007年至2012年DRAM市場劇烈變動和2008年全球金融海嘯等難關,台塑企業仍全力支持南亞科技挺過逆境,替台灣保留電子產業關鍵零組件的技術。

王文淵接著說,DRAM技術更迭快速,若無研發自主,技術及擴產將無法自我掌控,為能完全擺脫營運枷鎖,南亞科技經過不斷的創新與研發,已成功開發出新世代10奈米級記憶體技術,代表台灣正式掌握DRAM半導體世界一流的先進技術能力。

吳嘉昭表示,為了掌握DRAM關鍵技術,南亞科技五年來研發經費增加3倍,研發人力也擴充至千人規模,全球累計專利數超過 5000件。10奈米級第一代1A技術及產品預計於今年下半年量產,第二代1B技術及產品已進入試產,並已展開第三代1C技術以及應用於1D的EUV 技術研發工作。

李培瑛表示,南亞科技近年來在ESG(環境、社會與公司治理)各個面向的努力,獲得國內外評選機構的高度肯定,入選「DJSI 道瓊永續世界指數及新興市場 指數」、「國際碳揭露CDP氣候變遷最高評級及水安全領導評級」、「國家永續 發展獎」、「國家企業環保獎」及「綠色工廠標章」等多項永續殊榮。在研發方面,積極開發低碳產品包括下世代記憶體DDR5、LPDDR5,可以為客戶節省16%到35%的功耗。在生產方面,落實綠色生產,溫室氣體排放量5年來降低30%,節能措施近5年累計節電達5,830萬度,製程水回收率達到90.8 %,布局再生能源未來10年總量2.5億度太陽能。未來新廠將以綠建築標準及智慧建築規畫,帶動DRAM產業鏈邁向綠色生產。

南亞科12吋先進晶圓新廠今日由總統蔡英文(中)與台塑企業總裁王文淵等人舉行動土典...
南亞科12吋先進晶圓新廠今日由總統蔡英文(中)與台塑企業總裁王文淵等人舉行動土典禮,為台塑集團在DRAM技術自主研發邁入新里程碑。記者簡永祥/攝影

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