印能財報／上半年 EPS 28.72元 看好高階設備接續成長

印能科技（7734）今日說明，上半年財報顯示營收為新台幣17.9億元，年增63.09%、營業毛利11.87億元，年增58.23%，毛利率66.31%、營業利益9.53億元，年增58.19%、稅後淨利8.03億元，年增105.32%、EPS 28.72元，營收、營業利益及稅後淨利皆創歷史新高。

印能表示，受惠生成式AI與高效能運算（HPC）需求持續升溫，晶圓代工及一線封測大廠加速擴建先進封裝產線，帶動高壓真空除泡、翹曲抑制等高階製程設備出貨、進機及驗收進度加快，推升第2季營收9.13億元與，稅後淨利3.89億元刷新歷史紀錄。

延續第2季強勁成長動能，印能7月營收4.09億元，月增77.8%、年增62.33%；前7月累計營收21.99億元，年增62.94%。各產品線中，主要成長動能來自第二代VTS製程除泡系統。隨著CoWoS、Chiplet及大尺寸AI晶片封裝需求持續擴大，封裝面積與晶粒數量同步增加，底部填膠製程中的氣泡與空洞控制難度提高，帶動VTS設備出貨量維持高檔。

在次世代面板級先進封裝方面，CoPoS於今年進入設備與材料驗證的關鍵階段，配合客戶CoPoS及面板級先進封裝驗證需求，印能將高階WSAS翹曲抑制模組與既有製程平台整合導入。WSAS可透過加壓與真空進行精準控制，可依客戶需求，在製程中即時進行翹曲控制，或於製程完成後執行整平處理，有助降低翹曲造成的製程損失，提升大尺寸封裝的量產穩定性與良率。

在次世代光電整合架構方面，隨著AI系統對高速傳輸、低延遲及低功耗的需求持續提高，晶圓代工大廠積極推動COUPE矽光子整合平台及共同封裝光學（CPO）架構。當運算晶片、光學元件與高密度互連結構整合於同一封裝，晶粒間距與凸塊間距持續縮小，傳統清潔製程更難深入封裝結構內部，使助焊劑殘留、氣泡及空洞控制成為影響接合可靠度與量產良率的重要課題。

印能第四代EvoRTS真空高壓高溫系統，將助焊劑殘留控制與空洞消除整合於單一製程平台，透過真空、高壓與熱流條件的協同控制，結合溶解、擴散及擾動機制，處理高密度封裝結構中的殘留物與微小氣泡。相較傳統分站式製程，EvoRTS有助客戶精簡助焊劑清洗、烘乾及電漿清洗等製程站點，縮短生產時間、降低設備與人力投入，並朝低殘留、低空洞及高可靠度接合目標邁進。

展望後市，隨CoWoS與Chiplet產能持續擴張，加上CoPoS設備驗證及CPO矽光子封裝逐步推進，印能將持續聚焦氣泡、翹曲、殘留與散熱等AI先進封裝良率瓶頸，可望推動WSAS及EvoRTS等高階設備接續成長。