第三類半導體
碳化矽（SiC）
概況
電動車龍頭特斯拉（Tesla）於2018年，發表平價車款Model 3，首度在電動車變流器設計中，導入意法半導體（STM）的SiC（碳化矽）MOSFET，立刻引發市場高度關注。
特斯拉執行長馬斯克採用SiC晶片，使得逆變器體積縮小，打造出更流線的車體，由於SiC擁有承受更高功率、提高導電效率及減少發熱等特性，得以提高Model 3的續航里程。
第三類半導體-SiC(碳化矽)
SiC耐高溫高壓，低損耗、高頻、熱導率可達Si的3倍，適用於高壓高功率產品，可耐壓1000伏特以上，主要應用於電動車、風力發電、太陽能、充電樁以及離岸風電等綠能發電設備、工業控制。電動車採用SiC功率元件可降低能量損失，提升續航力。
Trendforce指出，2025 年全球SiC 功率市場規模將達33.9 億美元，2020~2025年 CAGR成長38%，前三大應用分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業中又以逆變器、車載充電器(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。
不過，SiC長晶效率比矽慢上逾100倍，7天才能生長2cm，還須在攝氏超過2,100度的高溫環境，基板製造困難，使得成本居高不下，宏遠投顧指出，光SiC基板成本就佔晶片加工總成本50%。近年來，隨著尺寸、可用厚度增加和缺陷密度下降，使得SiC MOSFET成本已從Si IGBT的原先的10倍下降為3.6倍。
由於使用第三類半導體來製作IC所需的基板並不容易，因此國際上常見由IDM大廠主導，並藉由併購的方式擴張到更上游的製程。IDM是指垂直整合製造商（Integrated Device Manufacturer, IDM），意味可以從晶片設計、生產製造、封裝測試等都一手包辦的公司。
第三類半導體 碳化矽（SiC）產業鏈
| 項目 | 項目 / 功能說明 |
|---|---|
| 基板（Substrate） | 基板（Substrate）以碳化矽來說，將碳化矽的粉體倒入長晶爐，透過高溫加熱，讓粉體變成蒸汽，冷凝後黏著在晶種上，形成碳化矽晶錠。之後將晶錠切割、修磨，變成基板。 |
| 磊晶（Epitaxy） | 磊晶（Epitaxy）指透過在原有的基板上，長出薄薄一層結晶，以達到強化工作效能的目標。IC設計 |
| 晶圓製造 | 晶圓製造從 IC 設計廠拿到的「電路設計圖」透過光學成像的原理轉移到「矽晶圓」上，最後依照設計圖架構，在矽晶元上集成化所需的電子元件。 |
| 封裝測試 | 封裝測試封裝 （Package）：將晶圓廠生產的晶片，以塑膠、陶瓷、金屬外殼包裝起來，以保護晶片在工作時不受外界的水氣、灰塵、靜電等影響。測試 （Test）：將製作好的晶片進行點收測試，檢驗晶片是否可以正常工作，以確定每片晶圓的可靠度與良率。 |
| IDM | IDMIDM(Integrated Design and Manufacture)指從設計、製造、封裝測試到銷售自有品牌IC都一手包辦的半導體垂直整合型公司。 |