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格棋的研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元,預計2024年第四季達到滿載。其中,6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片,至2024年底,新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐,預計2028年6/8吋長晶爐可達1,000台規模,大幅提升整體產能。新廠預計可以提供150個以上的就業機會。
格棋擁有獨特的碳化矽晶體技術,包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術及原料控制和熱處理技術,其核心技術可以有效提升晶體質量,降低缺陷密度,為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。
格棋技術長葉國偉博士強調:「碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性,在電動車、混合動力車及5G通訊等領域獲得廣泛的應用。隨著技術日益成熟,成本逐漸下降,市場需求快速成長。我們的目標是透過持續創新,鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。」
隨著中壢新廠落成,以及與不同領域夥伴的戰略合作,格棋化合物半導體公司正式邁入另一個發展階段,未來將持續投資研發,優化製程技術,提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品,強化台灣在全球第三類半導體產業中的領先地位。
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