經濟日報 App
  • 會員中心
  • 訂閱管理
  • 常見問題
  • 登出

易達通推出650V和1200V GaN功率晶片 技術大突破

本文共923字

經濟日報 翁永全

易達通科技在氮化鎵(GaN)功率晶片技術領域取得重要進展,成功開發650V和1200V GaN FET功率晶片,用於POE switch ,使用300 W/600W/1 KW PSU 模組,將為電力電子行業帶來顯著的性能提升和效率改善。易達通預計2025年推出1700V GaN FET,標誌著在化合物半導體技術創新邁出重要的一步。

氮化鎵(GaN)為第三類化合物半導體材料,獨特的二維電子氣和高切換速度特性而備受矚目。相比傳統矽(Si)材料,GaN具有高電子遷移率、寬能隙、高擊穿電壓及低導通電阻等特性,成為取代矽基功率元件的理想選擇。

易達通的GaN FET功率晶片具有小型化、低開關損耗、高頻、高效率、高壓、高可靠性等顯著的技術優勢,在許多應用領域極具應用潛力,例如電動車(EV)及充電設施,特別是800V AC-DC轉換器、DC-AC逆變器、車載充電器和DC-DC轉換器,顯著提高效率和減少體積,還可應用於快速充電樁,提高充電速度和效率。

在太陽能發電和風能轉換系統,可提高能量轉換效率,減少損耗,從而增加整體發電量。在數據中心和伺服器電源方面,也能降低能耗和散熱需求,提升系統可靠性和效能。此外,GaN晶片的高可靠性和高效能,成為工業自動化設備的驅動器、電源模塊和馬達控制系統的理想選擇。在消費電子端可大幅減小充電器的體積和重量,及提升充電效率。

易達通投入開發GaN FET 元件,並透過產學合作推展產品應用,與北中南各地區大學教授進行交流,其自主研發的650V 及 1200V GaN FET獲得高度肯定支持,將優先採用。易達通也與產業界合作推出140W~560W功率產品,進而開發用在電動車及太陽能的高功率Inverter與Converter。

易達通科技2019年成立,技術團隊憑藉多年研發經驗,成功克服了開發GaN功率元件的諸多挑戰,採用先進磊晶生長技術,確保GaN材料高品質和一致性,並優化元件結構設計,實現更低的導通電阻和更高的耐壓性能。

易達通相信,GaN技術廣泛應用將為全球電力電子行業帶來革命性變革,推動綠色能源和高效能技術的發展。未來將繼續致力於GaN技術創新和應用,推出更多高性能的GaN功率元件,滿足不同行業客戶的需求。

※ 歡迎用「轉貼」或「分享」的方式轉傳文章連結;未經授權,請勿複製轉貼文章內容

上一篇
京皓科技 代理日本初田製作所消防系統
下一篇
明新科大iLink大師講座 楊光磊鼓勵學生結合科技與人文找出創新

相關

熱門

看更多

看更多

留言

完成

成功收藏,前往會員中心查看!