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易達通GaN功率元件 能源轉換效率逾92%

本文共1107字

經濟日報 翁永全

採用矽、鍺材料的第一類半導體,30年來在邏輯晶片大放光芒,第二類以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表,應用於手機及基地台功率放大器。碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)第三類半導體,近年在5G、光達電動車、衛星通訊功率放大器及風力發電控制系統找到利基市場。

IDM新創易達通科技具備GaN元件設計及製造能力,推出多款GaN功率IC,為亞洲業界「唯一」採用藍寶石基板及LED製程,獲得全球三大LED集團青睞,其中2家已下單。執行長林仕國表示,GaN具有寬能隙、高電壓驅動及耐高溫特性,搭載藍寶石基板可製造各種功率元件,採用碳化矽基板則可製造射頻元件。

易達通科技董事長林仕國。易達通/提供
易達通科技董事長林仕國。易達通/提供

易達通向華為、易利信及諾基亞等一線大廠看齊,積極追趕。旗下有4吋晶圓foundry 廠威力富,可以生產GaN on SiC 射頻元件及GaN on Si及GaN on Sapphire 功率元件。在 使用GaAs 製程的Wifi 7 及5G小基站、低軌衛星及毫米波28G射頻,則與穩𢡟合作。

台灣最近積極佈建及發展低軌衞星,以及手機筆電的直接通訊網路,易達通已完成射頻元件設計並推出產品,將與相關業者合作,為台灣的衞星通信做出貢獻。林仕國表示,至於用於軍工雷達的X band PA,使用GaN on SiC製程,技術更先進,易達通也完成設計進入生產階段,也能為國防加一把勁。

650V GaN on Sapphire Wafer。易達通/提供
650V GaN on Sapphire Wafer。易達通/提供

基於整合上下游才是長遠發展之計,易達通將著手擴充產線及朝大尺寸發展,也不排除與LED封裝廠合作。林仕國分析,朝GaN轉型邁向第三類半導體,是傳統LED業的新藍海,億光就是轉型成功的典範。

GaN市場起飛,散發巨大魅力,2022年功率元件市場1.8億美金,2028年成長至20億美金,老幹新枝競逐,也吸引更多業者投入,希望在同一起跑點上先馳得點。業界併購與專利戰也隨之而起,英飛凌今年10月成功併購GaN Systems,美商EPC則狀告英諾賽科。Transphorm和偉詮電子合作發布整合式GaN系統級封裝,用於USB-C PD配接器和其他低功耗產品。

5W/10W/20W/40W/50W GaN on SiC HEMT。易達通/提...
5W/10W/20W/40W/50W GaN on SiC HEMT。易達通/提供
650V GaN on Silicon Power Transistor易達通/...
650V GaN on Silicon Power Transistor易達通/提供

半導體拳王台積電投入6吋GaN代工,中國傾全力發展,英諾賽科以8吋生產取得成本優勢,橫掃低功率市場,易達通則以LED製程結合GaN on Sapphire,在65W以上的功率元件市場和英諾賽科一較長短。

易達通在GaN電源應用的布局,首先切入 Power Adapter,已推出65/140 瓦產品,近期240/360瓦將上市。林仕國提醒,因應減碳及ESG趨勢,美國能源部頒布2025年起,能源轉換效率不得低於90.2%的新規定,市場解讀為能源革命,對既有業者是不小的挑戰。歐洲目前已要求供應商要達92%,易達通的GaN超越標準並上看93%。

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