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華邦電（2344）依規劃啟動高雄路竹廠擴產，Module B估2027年動工，並考慮導入EUV，將於2029年底前進入量產下，分析師表示，在下半年DRAM與Flash的價格仍維持上行趨勢，毛利率持續向上的情況下，估今年每股獲利（EPS）大幅成長至24.8元。
法人機構表示，在AI帶動記憶體及先進封裝需求長期成長下，華邦電啟動高雄路竹廠擴產規畫，將原定二、三期整併為Module B同步開發，預計2027年動工興建無塵室，最快2029年初開始裝機。
華邦電將2026全年的記憶體資本支出預估，由先前預估的405億元小幅下修至約395億元，年增618.1%，其中生產設備資本支出約占95%，以加速增產。主要因產能擴充及設備交貨延遲，部分設備交貨延至2027年。儘管目前許多機器設備交期拉長，部分原訂於2026年底交貨的設備將遞延跨年至2027年付款，但整體擴產進度不僅如期，甚至超前。
目前台中廠DRAM月產能約12K。配合高雄廠16nm新產能於2027年開出，公司規劃於2027年將台中廠DRAM月產能降至約7K。
高雄廠Module A目前月產能約15K，預計在2026年底前提升至24K並開始新增產能投片。16nm月產能目前約2K，現階段良率接近80%，目標在2026年底前提升至接近90%。長期理想目標是將16nm產能拉高至16K，逐步取代舊製程。受惠於16nm產能的開出，預估2027年高雄廠的位元產出將接近倍增。
分析師表示，AI的發展改變產業追求性價比與記憶體單價的傳統，轉而重視效能、算力及大容量。記憶體市場供需出現結構性改變。進入第3季，DRAM與Flash的價格仍維持上行趨勢，雖然價格上漲趨勢較緩，但毛利率仍持續向上，預估今年EPS將大幅成長至24.8元。
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