力積電基本面優異 營運動能加速點火熱到明年

晶圓代工廠力積電（6770）上周強勢補量上攻，自10日以來日K連續築高、均線呈現「5日＞10日＞20日」多頭排列，上周五（14日）收34.15元、成交24.8萬張。驅動買氣的關鍵在基本面訊號轉佳，第3季虧損收斂、記憶體報價續揚，公司宣布11月起調整部分晶圓代工價格，市場預期第4季有望呈現量價齊揚態勢，熱度可望延續至2026年上半年。

技術面維持偏多結構。10月中旬起MACD翻紅後高檔鈍化，11月初柱狀體雖一度收斂，但DIF仍在零軸之上；KD回到60至70區間反覆鈍化，均線上彎、短多慣性未破。價量來看，10月下旬的放量突破區間帶來有效支撐，短線若能續守月線與10日線，續挑戰前高的機會不低。

觀察近五日，外資買超逾9萬張、自營商買超逾1.1萬張，投信小幅轉買，三大法人合計買超逾10萬張。根據14日券商分點資料顯示，買超前三大為港商野村、國票–天祥以及新加坡瑞銀，買超張數分別為12,684張、5,203張以及3,688張，屬於外資與券商交易部共同點火的格局，鎖定強勢股短波段。

力積電近期舉行法說會，總經理朱憲國當時表示，記憶體市況火熱，利基型DRAM受產能排擠效應影響，價格持續上漲，預期第4季投片量與價格都會上升，漲價效應自11月起開始反應，記憶體動能可望將一路延續至明年上半年，有助改善獲利。

力積電預估，第4季產能利用率約與第3季持平，記憶體維持滿載、邏輯相對偏弱。隨記憶體價格反映效益發酵、先進封裝布局成形，第4季獲利持續改善，虧損逐季收斂。

以記憶體跟邏輯市場來看，朱憲國說明，AI帶動HBM高階記憶體需求爆發，利基型DRAM因大廠將產能轉往HBM而受排擠，價格持續上漲；SLC NAND因三星與SK海力士減產，第3季價格谷底翻揚；NOR Flash因AIoT應用需求推升，有漲價跡象。

綜觀盤勢與消息面，短線有漲價與記憶體動能走強，中期則有先進封裝與客戶投片意願轉強。籌碼雖進入高檔換手，但主力仍以外資與大型券商為主，配合均線多頭與量能不失控，若後續整理後放量突破35～37元區間，有望開啟下一段行情。

力積電10月合併營收41.34億元，較9月39.52億元增加約4.6%，年增約5.6%；累計前十月達383.69億元、年增約2.3%。第3季合併營收達118.4億元，季增5%、年增1.6%；稅後淨損27.28億元，每股稅後淨損0.65元。

選股原則

5日均價大於10日均價，10日均價大於20日均價，近五日三大法人買超逾10萬張。