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由於晶圓製程不斷邁向更小的節點，即便是極微量的污染物，也可能影響晶片良率，甚至導致報廢，因此為了追求製程中的極致潔凈，污染物的監測與分析是晶圓製程中的巨大挑戰之一。
晶圓製程中的微污染物有哪些？
隨著製程節點（電子元件尺寸）逐步縮小，晶圓製程中對污染物的容忍度近乎為零，任何微小的金屬雜質，或是製程中所產生的空氣分子污染物，如VOCs（空氣中的有機物質）、MA酸性分子（鹽酸、硝酸）、MB鹼性分子（氨氣）等等，都可能造成電性改變或晶片缺陷，為了維持高良率，晶圓廠必須在材料選用、製程環境、潔淨室管理等各個環節進行嚴格控管。
常見的微污染監測方式
目前常見的微污染監測技術包含ICP-MS、ICP-OES和GFAAS等等，其中ICP-MS是最為理想的技術，它是一種能檢測極低濃度金屬元素的分析工具，不僅可同時分析多種元素，其靈敏度還可達到兆分之一等級，特別適用於超純水、化學試劑以及晶圓表面雜質檢測。相比之下，ICP-OES雖然成本較低，但無法達到和ICP-MS同樣低的檢測極限，而GFAAS只適用於特定元素和少量樣品，也不具備ICP-MS的多元素分析能力。
微污染監測為何困難？
這樣看下來，會覺得ICP-MS好像很厲害，有它應該就足夠了吧！但在實際應用時還得考量到樣品特性、檢測需求、成本效益等因素，有時也會需要搭配其他儀器來進行更全面的分析，且晶圓微污染的監控需盡量即時，從污染發生到被發現的時間誤差越大，對晶圓製程的損害就會越高；與此同時，污染源的精準分析也很重要，若錯失了關鍵污染物，可能導致接下來的製程重複出錯，對研發廠造成更大的損失。
光是從微污染的監測就能看出，小小一塊晶圓的製程有多麼困難，更別提投入研發與購置精密儀器的成本，這些都是為何先進電子產品會如此昂貴的原因之一。現代人所享受的先進科技生活，是無數研發人員持續探索與改良的成果，每一項創新與突破，都見證了他們對高品質與精準分析的堅持。
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