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芯測科技發表新產品START v5與EZ-BIST v2

本文共1556字

經濟日報 蔡穎青

芯測科技3/25於上海舉辦新產品發表會,此次產品發表會著重於START v5與EZ-BIST v2的說明。START v5是SRAM測試與修復EDA工具,EZ-BIST v2是SRAM測試EDA工具。在效能提升上,START v5與EZ-BIST v2採用了AI工具,包括強化了RTL語法與各種指令的覆蓋率,對照START v3可以提升50%的執行效率。

START v5與EZ-BIST v2 提升的各類SRAM的辨識效率,對照START v3,可以縮短50%的SRAM辨識時間。此外,START v5與EZ-BIST v2強化了SRAM時鐘自動搜尋(Auto-Clock Tracing)的功能,讓MCU類的晶片可以透過此功能,自動完成晶片內SRAM時鐘路徑的辨識工作,提升MCU類晶片SRAM測試電路生成的速度。

START v5取得ISO 26262 TCL1的認證,其中幾項功能更是符合車用電子的需求,此次功能強化,包括在POT (Power_On Test)功能中,加入了動態控制SRAM的接口,將原本存在ROM裡面的POT 控制命令改存放置SRAM裡,以便可以動態調整POT的控制命令。SRAM的修復技術,一直是芯測科技引以為傲之處。所以,START v5在SRAM修復技術上的強化如下:

1.縮短了SRAM修復時,需要從eFuse或是OTP讀取SRAM錯誤資訊到SRAM修復控制器的時間。

2.在面對AI晶片設計複雜度日益增加與SRAM的使用增加的情況下,START v5增加了SRAM修復需要用的eFuse和OTP的資料壓縮功能,面對SRAM使用量增加的情況,可以大大節省AI晶片的成本。

3.同樣為了因應AI晶片對於SRAM需求增加的情況,START v5優化了SRAM修復路徑的時序,提升AI晶片整體佈局與繞線的彈性度。

4.START v5在專利化SRAM修復技術上,強化使用Stand-alone SRAM與Redundancy並存的機制。讓許多消費性電子晶片的設計更加彈性化,可以充分利用未使用的SRAM的空間,當作SRAM修復的『備援記憶體』,大幅降低消費類晶片的設計成本。

5. START v5為了因應Chiplet的架構,透過Interface的多元設計,強化了模組化(Bottom-Up)設計流程,讓複雜晶片的SRAM測試與修復電路的生成變的更加簡單,同時也符合Chiplet架構下的SRAM測試準則。

在SRAM錯誤診斷上,START v5與EZ-BIST v2強化了SRAM錯誤診斷分析功能,可以利用晶片的佈局圖搭配診斷功能,明確的指出晶片內錯誤SRAM的位置與為何發生錯誤的原因。

START v5與EZ-BIST v2強化了SRAM分群的機制,可以搭配晶片的佈局圖進行SRAM的分群機制,達到佈局與繞線的時序需求。

在SRAM測試演算法上,START v5與EZ-BIST v2基於芯測科技的專利化架構UDA (User Defined Algorithms),設計了TEC 2.0 (Testing Element Change)。TEC可以讓晶片在CP階段,只需要透過測試機台命令的組合,就可以動態改變SRAM的測試演算法,無須更改晶片設計,讓DPPM的控制變的更加容易。其原因在於,透過UDA的專利,可以將SRAM的測試演算法進行『元件化』設計,如同『樂高』積木的堆疊一樣,透過『元件化』的『重新組合』,產生新的SRAM的測試演算法,讓晶片開發商,可以根據晶片的功能與應用,透過TEC設計出獨一無二的SRAM測試演算法,降低DPPM。

芯測科技的新產品START v5與EZ-BIST v2,可以協助AI晶片與車用電子晶片,提升晶片良率,降低晶片測試成本,增加晶片的競爭力。

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