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力積電法說會/黃崇仁:轉型已走出成熟製程框架 WoW、EMIB 成兩大領先技術

力積電董事長黃崇仁。 聯合報系資料照
力積電董事長黃崇仁。 聯合報系資料照

本文共1072字

經濟日報 記者朱子呈/台北即時報導

AI重點

  • 力積電轉型聚焦先進封裝、記憶體與邏輯代工三大支柱。
  • WoW與EMIB技術領先,矽中介層已通過英特爾認證。
  • 記憶體與第三代半導體布局推進,印度建廠將貢獻收益。

力積電(6770)14日召開法說會,董事長黃崇仁表示,公司轉型已逐步見效,未來將以先進封裝、記憶體及邏輯代工為三大支柱。他強調,力積電是全球唯一同時橫跨記憶體與邏輯代工的業者,晶圓堆疊晶圓(WoW)技術居全球領先地位,EMIB布局也具獨特優勢。

先進封裝作轉型突破 WoW技術推升AI布局

先進封裝是力積電轉型的主要突破口。公司已建立矽中介層、矽電容、WoW及混合鍵合等技術,其中矽中介層已通過英特爾EMIB認證;四片晶圓堆疊試產良率達量產水準,八片DRAM堆疊良率則超過九成,並持續開發12層堆疊。相較HBM多採微凸塊連接,WoW直接導入混合鍵合,可提升封裝密度並降低厚度。

力積電旗下3D AI Foundry今年受限於產能,營收占比仍為個位數,但公司目標三年內提高至20%。矽電容方面,明年下半年規劃將8吋月產能增至5,000片,12吋月產能提升至8,000至1萬片,並評估進一步擴充廠房空間。

矽光子放面,力積電目前規劃兩條技術路線,一是開發應用於機櫃及主機板的光子積體電路,另一條是發展光學中介層,以光訊號取代電訊號。相關技術仍處研發初期,但未來可望與矽中介層、矽電容及混合鍵合整合,延伸至AI資料中心高速互連。

記憶體重建量產能力 美光合作推進製程升級

記憶體是力積電轉型的另一支柱。公司維持從利基型至較高階DRAM的完整產品線,自行開發的DDR4 8Gb預計今年底前逐步產出,明年在美光技術支援下建立量產能力。美光PWF合作案設備預計今年底前進駐,目標明年第4季量產;1P DRAM設備則預計明年第1季底前到位,規劃2028年中量產。

邏輯代工則由過去廣泛承接成熟製程訂單,轉向車用、電源管理IC、MOSFET及分離式元件等較具成長性的應用。公司第2季已針對8吋及12吋邏輯代工價格調漲10%至15%,若市場持續缺貨,不排除再度調價;第3季及第4季產能利用率預估均接近滿載。

黃崇仁表示,AI伺服器快速增加電源管理及功率元件需求,力積電8吋MOSFET及分離式元件產能已長期滿載,客戶持續要求增加投片。第三代半導體方面,公司布局碳化矽及GaN on Silicon,並與美國功率半導體業者Navitas合作,目前仍處客戶驗證階段,其他客戶最快可能於明年上半年開始小量生產。

印度建廠案也將成為後續收益來源。力積電目前已認列超過1億美元相關收入,印度晶圓廠預計明年底完成土建、後年初搬入設備,屆時技術移轉收入才會逐步放大;在設備導入前,仍將有小額建廠及服務收入陸續認列。

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