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經濟日報 記者尹慧中／台北報導
聯電（2303）近兩年來布局新技術，跨足先進封裝與矽光子技術，成為新的成長動能，因應AI、網路通訊、消費電子及車用電子等高效能應用領域不斷演進的市場需求，預期將是4月底法說會關注的焦點。
聯電去年就宣布，與先進半導體技術創新研發中心imec簽署技術授權協議，取得imec iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學（CPO）相容性，加速聯電矽光子技術發展藍圖。聯電透過此合作將推出12吋矽光子平台，以瞄準下世代高速連接應用市場。
聯電正與多家新客戶合作，預計在此平台上提供用於光收發器的光子晶片，在2026及2027年展開風險試產。結合多元的先進封裝技術，使聯電在未來系統架構將朝共封裝光學與光學I/O等更高整合度的方向邁進，為資料中心內部及跨資料中心提供高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。
此外，聯電雖未繼續投資7奈米以下更先進製程，但與英特爾合作開發12奈米 FinFET製程平台進展順利，預計2026年完成開發與驗證，2027年正式量產，市場也視此合作是聯電以低資本支出重返先進製程市場的關鍵策略，鎖定WiFi 7、AI邊緣運算與高效能消費性晶片市場。聯電產品線透過此合作，延伸至次先進製程，產品組合升級有助於毛利率結構改善。
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